1PN结二极管.ppt

* 5 影响PN结直流特性的其他因素 理想与实际的比较： 势垒区载流子的产生与复合 大注入 串联电阻 表面效应 产生偏差的原因： V I 0 VB VT 理想 实际 IR * 势垒区的复合与产生电流 根据复合中心理论，稳态时载流子的净复合率为： 式中： 取：Et = Ei 本征面：n = p * PN结正偏，复合率： PN结反偏： 产生率： 正向偏压使载流子注入空间电荷区，复合率增加，空间电荷区内有复合电流 IRG，PN结总正向电流为： IF = IFD + IRG 反向偏压对载流子的抽取，使少子浓度降低，有载流子产生，势垒区存在产生电流 IG ，总反向电流为： IR =IRD + IG * 以P+N结为例，讨论复合电流与产生电流对电流的影响 正偏电流： P+N结 Si Ge 典型数据 ND=1015cm-3，τp=1us， μp=500cm/Vs， xm=1um ni=1.5×1010cm-3， ND=1015cm-3，τp=10us，μp=200cm/Vs， xm=1um ni=2.5×1013cm-3， jRG / jFD 102e-qVA/2KT 10-1e-qVA/2KT 结论 VA = 0.24V， jRG /