第三讲 单极型半导体器件.pptVIP

黄君凯 教授 第三章 单极型半导体器件 晶体管 双极型晶体管（结型晶体管）： 有两种载流子（电子、空穴）参与工作。 单极型晶体管（场效应晶体管）： 只有一种极性载流子参加工作，而且是多子。 单极型晶体管 结型场效应晶体管（JFET）：体内场效应晶体管。 金属 - 半导体场效应晶体管（肖特基场效应晶体管）（MESFET）：体内场效应晶体管。 黄君凯 教授 绝缘栅场效应晶体管 （金属-绝缘体-半导体场效应晶体管） （金属-氧化物-半导体场效应晶体管） （IGFET：MISFET，MOSFET）：表面场效应晶体管。 基本结构 金属 - 半导体结构（M-S 结构）。 金属 – 氧化物 – 半导体结构（MOS 结构）。 黄君凯 教授 3.1 金属 – 半导体接触 3.1.1 金属 – 半导体结构 一、 热平衡时的能带结构 1. 几个物理量 电子的真空能级 ： 半导体内部电子处于势阱中运动，电子从其中逸 出体外刚好处于静止时的能量。 功函数 ： 一个起始能量等于 的电子逸出材料体内进入真 空中所需的最小能量， 是以电势表示的功函数。 其中 金属功函数 为：