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- 2017-06-10 发布于湖北
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第4章 存储器和高速缓存技术 4.1 存储器和存储器件 4.1.1 存储器的分类 4.1 存储器和存储器件 存储器容量以字节为单元,常用的有 210字节=1KB, 220字节=1024KB=1MB, 230字节=1024MB=1GB, 240字节=1024GB=1TB 4.1 存储器和存储器件 在微机中,存储器按8位二进制数(一个字节)编址,每一个单元都有一个地址。 计算机内存采用行列结构。 4.1 存储器和存储器件 ① 易失性 ② 只读性 ③ 存储容量 ④ 速度 ⑤ 功耗 4.1 存储器和存储器件 1. SRAM 由双稳电路构成,存储信息稳定。 速度快,功耗大,容量小。用于存储容量较小的系统中。 4.1 存储器和存储器件 4.1 存储器和存储器件 利用电容存储电荷的原理保存信息,由于电容存在的漏电现象而使其存储的信息不稳定,故DRAM芯片需要定时刷新。 容量高,功耗低,需要刷新。用于大容量的系统中。 4.1 存储器和存储器件 从上一次对整个存储器刷新结束时刻,到本次对整个存储器完成全部刷新一遍为止,这一段时间间隔称为刷新周期。一般为2ms,4ms或8ms。 刷新方法:动态MOS存储器通常采用逐行“读出”方式进行刷新,并且通常采用一次刷新一行存储元的方法。 常用的刷新方式有三种,一
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