7基本放大电路.ppt

P沟道MOSFET * 场效应管的主要参数及微变等效电路 场效应管的主要参数 * 一、直流参数 1. 开启电压UT （增强型参数） 2. 夹断电压UP （耗尽型参数） 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 二、交流参数 1. 输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞ 场效应管的主要参数及微变等效电路 交流参数 * 2. 低频跨导gm 三、极限参数 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 3. 最大漏源电压U（BR）DS 4. 最大栅源电压U（BR）GS 场效应管的微变等效电路 * g m u gs u gs g d s i d + - + - u ds 输入回路 栅极电流几乎为零，我们可以认为场效应管的输入回路等效成开路。 输出特性 场效应管工作在放大区时，漏极电流ID与UDS几乎无关，只由UGS决定。 共漏放大电路及其分析方法。 共源放大电路 * + u o - R L R D R G R G 2 R S R G 1 + u i - + U DD C S G D S 静态分析 共漏放大电路及其分析方法。 共源放大电路 * 交流通路及微变等效电路 + u o - R L R D R G R G 2 R G 1 + u i - G S D R G R G