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Pt 是过渡金属，Pt原子通过d-s杂化构成晶体，Si 是通过s-p杂化构成晶体的。 PtSi的动力学表明，在低于300摄氏度时，Pt2Si相形成，高于300摄氏度时，PtSi相生长。 若PtSi厚度为d，则其与扩散系数D、退火时间t之间的关系为： 在一级相变中组分变化是不连续的，即新相的形成必须通过成核才能发生。不同相的成核势垒不同。动力学认为成核势垒同激活能给出。 2.PtSi的生长动力学 对PtSi形成和生长影响最大的因素是退火温度和衬底温度。 PtSi薄膜的热稳定性及必性能与膜厚之间也存在一一定关系。 人们发现晶向、晶粒大小、电阻、光谱反射及热稳定性强烈依赖于膜厚，薄膜性能变坏的温度随膜厚度增加而增加。 硅基超薄膜的质量是影响器件性能的关键因素之一，而Pt金属膜的沉积和退火工艺对固相反应PtSi薄膜的质量有显著影响。 研究单一温度退火、三步扩散炉退火和快速热退火等方法。 3.Pt/Si退火工艺 PtSi具有正交结构（MnP型），每个单胞内含4个Pt原子和4个Si原子，晶格常数a=0.593nm，b=0.360nm，c=0.560nm. 界面模型如下： 4. PtSi/Si界面研究 HgCdTe II-VI族固溶体为代表的是第四代半导体材料，它的工作频率已经推广到红外波段以外。 (Hg1-xCdxTe，MCT）是一种窄带宽的三元化合物半导体，具有如下特点： （1）禁带宽度