第五章非平衡载流子xin绪论.pptVIP

(3)稳态下的表面复合 图5-20 两个边界条件: ① ② 由边界条件① 可得: 由边界条件② 可得: 问题: 　已知某半导体为间接禁带半导体,其价带顶和导带底对应的波矢k分别为０和k1,同时在禁带中本征费米能级附近存在复合中心能级Et. 简述该半导体中可能发生的复合机制，并图示指出各机制的物理过程． 如果该半导体可发生直接复合和间接复合，那么在利用能谱分析手段直接观测光子和声子能谱时，可观测到的光子和声子的能谱分别有几条？ 一个例子: Au在硅中是深能级杂质,形成双重能级，是有效复合中心作用: 掺金可以大大缩短少子的寿命. ? n型硅: 净复合率取决于空穴俘获率--受主能级EtA起作用,[电离受主(Au-)俘获空穴,完成复合]. ? p型硅: 净复合率取决于电子俘获率—施主能级EtD起作用,[电离施主(Au+)俘获电子,完成复合]. 表面态--表面引起的附加电子状态 (表面周期势场的中断, 表面杂质,表面缺陷) 表面态可以起复合中心作用. 4 表面复合 （1）表面复合率us us：单位时间单位表面积复合掉的电子-空穴对 单位：对/s·cm2 ：为样品表面处单位