第一章电路和电路元件(下)绪论.ppt

1：EMITTER 2： BASE 3：COLLECTOR * §1.4 　电子器件 §1.4.6 　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理 场效应管是利用电场效应来控制半导体中的载流子，使流过半导体内的电流大小随电场强弱的改变而变化的电压控制电流的放大器件。其英文名称为：Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor，缩写为MOSFET 场效应管是的外型与晶体管（三极管）相似，但它除了具有三极管的一切优点以外，还具有如下特点： * §1.4 　电子器件 §1.4.6 　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理 栅极 P型硅衬底 源极 漏极 衬底 结构图 它是以—块掺杂浓度较低的P型硅半导体作为衬底、利用扩散的方法在其上形成两个高掺杂的N+型区，同时在P型硅表面生成一层二氧化硅绝缘层。并用 金属导线引出三个电极，分别作为源极(S)、漏极(D)和栅极（G）。 S 源极 B 衬底 D 漏极 G 栅极 符号图 * §1.4 　电子器件 §1.4.6 　绝缘栅型场效应晶体管-结构工作原理 基本上不需要信号源提供电流 输入阻抗很高（可达109~1015?） 受温度和辐射等外界因素影响小，制造工艺简单、便于集成化等； 只有多数载流子参与导电，所以又称其为单极性晶体管 * §1.4 　电子器件 §1.4.6 　绝缘栅型场效应晶