第5章 存储器系统试卷.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第5章应注意的几点 基本概念： 不同半导体存储器的特点及应用场合 Cache的基本概念 系统设计： 存储器芯片与系统的连接 译码电路及其他控制信号 存储器扩展技术 能够设计出所需要的内存储器 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 位扩展 构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元 的字长时——需进行位扩展。 位扩展： 每单元字长的扩展。 * 位扩展例 用8片2164A芯片构成64KB存储器。 LS158 A0~A7 A8~A15 2164A 2164A 2164A DB AB D0 D1 D7 0000H FFFFH .… * 位扩展方法： 将每片的地址线、控制线并联，数据线分 别引出。 位扩展特点： 存储器的单元数不变，位数增加。 * 字扩展 地址空间的扩展 芯片每个单元中的字长满足，但单元数不满足。 扩展原则： 每个芯片的地址线、数据线、控制线并联。 每个芯片必须有不同的地址范围。 芯片的片选端必须分别引出 * A0～A10 DB AB D0～D7 A0~A10 R/W CS 2K×8 D0～D7 A0～A10 2K×8 D0～D7 D0～D7 A0~A10 CS 译码器 Y0 Y1 高位地址 R/W 字扩展示意图 * 字扩展例 用两片64K×8位的SRAM芯片构成容量为128KB的存储器 两芯片的地址范围分别为： 20000H～2FFFFH 30000H～3FFFFH * 字扩展例 G1 G2A G2B C B A Y2 Y3 MEMR MEMW A19 A18 A17 A16 74LS138 高位地址： 芯片1： 0 0 1 0 芯片2： 0 0 1 1 A19 A18 A17 A16 芯片1 芯片2 * 字位扩展 设计过程： 根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数； 进行位扩展以满足字长要求； 进行字扩展以满足容量要求。 若已有存储芯片的容量为L×K，要构成容量为M ×N的存储器，需要的芯片数为： （M / L） ×（N / K） * 字位扩展例 P208例子 * §5.3 只读存储器（ROM） EPROM EEPROM （紫外线擦除） （电擦除） * 一、EPROM * 1. 特点 可多次编程写入； 掉电后内容不丢失； 内容的擦除需用紫外线擦除器。 * 2. EPROM 2764 8K×8bit芯片 地址信号：A0 —— A12 数据信号：D0 —— D7 输出信号：OE 片选信号：CE PGM：编程脉冲输入 Vpp : 编程电压输入端 其它引脚与SRAM 6264完全兼容. * 2764的工作方式 数据读出 编程写入 擦除 标准编程方式 快速编程方式 编程写入： 每出现一个编程负脉冲就写入一个字节数据 * 二、EEPROM * 1. 特点 可在线编程写入； 掉电后内容不丢失； 电可擦除。 * 2. 典型EEPROM芯片98C64A 8K×8bit芯片； 13根地址线（A0 —— A12）； 8位数据线（D0 —— D7）； 输出允许信号（OE）； 写允许信号（WE）； 选片信号（CE）； 状态输出端（READY / BUSY）。 * 3. 工作方式 数据读出 编程写入 擦除 字节写入：每一次BUSY正脉冲写 入一个字节 自动页写入：每一次BUSY正脉冲写 入一页（1~ 32字节） 字节擦除：一次擦除一个字节 片擦除：一次擦除整片 * 4. EEPROM的应用 可通过程序实现对芯片的读写； 仅当READY / BUSY=1时才能进行“写”操作 “写”操作的方法： 根据参数定时写入 通过判断READY / BUSY端的状态进行写入 仅当该端为高电平时才可写入下一个字节。 P215例 * 四、闪速EEPROM 特点： 通过向内部控制寄存器写入命令的方法来控制芯片的工作方式。 * 工作方式 数据读出 编程写入： 擦 除 读单元内容 读内部状态寄存器内容 读芯片的厂家及器件标记 数据写入，写软件保护 字节擦除，块擦除，片擦除 擦除挂起 * §5.4 高速缓存（Cache) 了解： Cache的基本概念； 基本工作原理； 命中率； Cache的分级体系结构 * Cache的基本概念 设置Cache的理由： CPU与主存之间在执行速度上存在较大差异； 高速存储器芯片的价格较高； 设置Cache的条件：