半导体中的电子过程资料.ppt

在P区势垒边界处的电子扩散电流密度为 同理，在N区势垒边界处的空穴扩散电流密度为 平衡时，P区的电子（少子）浓度和N区的空穴（少子）浓度可分别表为 { 对于同质PN结，?EC＝?EV＝0，ni1＝ni2，则注入比为 ND和NA分别是N区的施主掺杂浓度和P区的受主掺杂浓度，注入比主要决定于掺杂浓度之比。因此，为了提高同质PN结的注入比，就要提高N区的施主掺杂浓度。 而对于异质结，注入比为 这里忽略了两种不同材料有效能态密度的差异。可以看出，如果N区选用比P区更宽带隙的半导体材料，那么，即使两边的掺杂浓度相差不多，也可获得很高的注入比。对于晶体管、半导体激光器等半导体器件，注入比是一个很重要的参量。对于晶体管，高的注入比可获得高的电流放大倍数；对于半导体激光器，则可提高激光器的工作效率。此外，由GaAs和AlxGa1-xAs所组成的异质PN结，在窄带隙的GaAs中可以存在电子或空穴的窄势阱称为量子阱。如果处于势阱中的电子（或空穴）的能量低于势垒高度（即能带边失配值?EC或?EV）,那么电子（或空穴）的运动就被限制在势阱中。如果势阱 的厚度（即窄禁带GaAs的厚度）足够薄，则可近似认为势阱中的电子（或空穴）只能在平行于界面的平面内运动，这时量子阱中的电子（或空穴）可近似看成二维电子（空穴）气。 习 题 1-1 设一维半导体的晶格常数为a，导带低和价带顶附近的能带可以写成 式中， 是电子质量，k1=2π/a。试求： （1）禁带宽度； （2）导带低和价带顶的电子有效质量； （3）价带顶电子跃迁到导带低时的准动量。 解：（1）导带低和价带顶能级为 上页 目录 下页 禁带宽度为 （2）导带低和价带顶的电子有效质量 即 （3）价带顶电子跃迁到导带低时，满足 准动量的变化为 1-2 已知，在T=300K时，硅的本征载流子浓度为 。如果费米能级在禁带中央以上0.26eV处，试计算此时电子与空穴的数密度。 解：空穴与电子数密度之比可以写成 又由 可得 所以有 即得 1-3 某半导体中只掺入浓度为 的施主杂质，其电离能为1meV，有效质量为0.01mo，试估算T = 4K时的导带电子数密度和霍尔系数。 解：根据 得 代入 得 根据霍尔系数定义，得 1-4 n型硅的禁带宽度为1.10eV， 施主电离能为0.05eV，掺杂浓度 解：因为 ，当T = 300K时费米能级位于禁带中央以上0.29eV处。试计算此时施主能级上的导带电子数密度。 得 代入公式，得 1-5 300K时锗的本征电阻率为0.47Ω·m。如果电子和空穴的迁移率分别为0.36m2/V·s及0.17m2/V·s，试计算锗的本征载流子数密度。 解：因为 所以 * 由于 p 区与 n 区各自有不同的费米能级，因此两者相接触时处于非平衡状态，n 区的电子向 p 区扩散，而 p 区空穴则向 n 区扩散。 p-n结两边的异号电荷形成一个由n区指向p区的电场，称为内建电场。 内建电场对载流子的扩散起阻碍作用。 电子与空穴的扩散均破坏结两边的电中性，从而使 n区边界出现由施主正离子与空穴形成的正电荷积累，而在p区边界出现由受主负离子与电子形成的负电荷积累。 在内建电场作用下，载流子形成与扩散电流方向相反的漂移电流。 当扩散电流与反向漂移电流相等时，p – n 结处于平衡态，p区与n区的费米能级重合，p – n 结具有统一的费米能级，如图所示。 此时 n区与 p区的电势差VD 称为内建电势差。 eVD 由于内建电势差的作用，n区静电势能比 p区低 eVD，使结两边的能带产生相对移动。 所以，p-n结平衡时能带是弯曲的，n区相对于p区能带降低 eVD。 对于n区的电子和p区空穴，向对方扩散都必须克服数值为eVD的势垒，故通常称eVD为扩散势垒。 上述表明，平衡时在 p-n 结处形成一个高阻区域——势垒区（又称为耗尽区），其典型宽度在10μm量级。 2. p-n结内建电势差 根据结两