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第二章半导体中杂质和缺陷能级 §2.1 Si、Ge晶体中的杂质能级 实际半导体与理想半导体的偏离 a. 原子在平衡位置附近作振动 b. 存在杂质 c. 存在缺陷 1、杂质与杂质能级 杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素 缺陷: 晶格中的原子周期性排列被破坏 a. 点缺陷：空位、间隙原子 b. 线缺陷：位错 c. 面缺陷：层错 杂质和缺陷出现在半导体中时， 产生的附加势场使严格的周期 性势场遭到破坏。 杂质能级位于禁带之中 间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子的间隙位置 间隙式杂质原子一般比较小 替位式杂质：杂质原子取代晶格原子位于晶格点处 替位式杂质原子的大小与被取代的晶格原子的 大小比较相近,价电子壳层结构相近。 硅、锗为Ⅳ族元素，与Ⅲ、Ⅴ族元素情况类似，故Ⅲ、Ⅴ族元素在硅、锗中为替位式杂质 杂质浓度：单位体积中的杂质原子数 施主杂质：能够施放电子而产生导电电子并形成 正 电中心 受主杂质：能够接受电子而产生导电空穴并形成 负 电中心 2、施主能级：举例：Si中掺磷P（Si：P） 杂质电离：电子脱离杂质原子的束缚成为 导电电子的过程 杂质电离能：价电子挣脱束缚成为导电电 子所需的能量 施主杂质未电离时是中性的，电离后成为正电中心，施主杂质电离后导带电子增多，这种主要依靠电子导电的半导体称为N型半导体。施主杂质又称为N型杂质 一般情况下施主能级是孤立能级 施主能级位于离导带底很近的禁带中 3、受主能级：Si中掺硼B（Si：B） 受主杂质未电离时是中性的，电离后成为负电中心，受主杂质电离后价带空穴增多，这种主要依靠空穴导电的半导体称为P型半导体。受主杂质又称为P型杂质 受主能级位于离价带顶很近的禁带中 一般情况下，受主能级也是孤立能级 杂 质 半 导 体 1、n型半导体： a 施主杂质电离，导带中出 现施主提供 的电子 b n p 2、p型半导体： a 受主杂质电离，价带中出 现受主提供的空穴 b p n 上述杂质的特点： 施主电离能△ED《 Eg 受主电离能 △EA 《 Eg 均为 浅能级杂质 4、浅能级杂质电离能的简单计算 （1） 氢原子基态电子的电离能 5、杂质的补偿作用 杂质的补偿:既掺有施主又掺有受主 补偿半导体 （B）NAND时 p型半导体 因 EA 在 ED 之下， ED上的束缚电子首 先填充EA上的空位， 即施主与受主先相互 “抵消”，剩余的束缚 空穴再电离到价带上。 半导体是 p 型的 （C） NA≌ND时 杂质的高度补偿 6、深能级杂质 例1：Au（Ⅰ族）在Ge中 （1）Au+： Au0 – e Au+ （3） Au一： Au0 + e Au一 （4） Au二：Au一 + e Au二 （5） Au三： Au二 + e Au三 例2：Au（Ⅰ族）在Si中 7、等电子陷阱 （2）等电子陷阱 1、N在GaP中：NP 2、C在Si中：CSi 3、O在ZnTe中： 其存在形式可以是 （1）替位式 （2）复合体，如 Zn-O 8、束缚激子 9、两性杂质 §2.2 缺 陷 能 级 1、 点 缺 陷： （1）Si中的点缺陷： 以空位、间隙和复合体为主 * * Ec Ev 杂质能级 电离施主 P+ Si 导带电子 电离的结果：导带中的电子数增加了，这即是掺施主 的意义所在 施 主 电 离 能：△ED=EC-ED △ED ? Eg △ED=EC-ED Eg ED EC EV ED 电离 受主 价带 空穴