嵌入式系统基础教程 第16讲 第8章常用嵌入式存储器和嵌入式总线技术.ppt

2008年07页13日 南京大学计算机系 《嵌入式系统原理与开发》 第16讲 南京大学计算机系 俞建新主讲 第8章 嵌入式存储器和接口技术 本章主要介绍以下内容： 嵌入式系统常用存储器 嵌入式系统常用总线 嵌入式系统常用接口 嵌入式系统常用外部设备 8.1 嵌入式系统常用存储器 嵌入式系统常用的存储器主要有这几类： ROM 小规模容量、Bootloader载体 容量16KB到32KB SRAM Embedded SRAM，简称为嵌入式SRAM 容量达几百K字节、用作片上Cache、片上SRAM SDRAM Synchronous Dynamic Random Access Memory 高密度同步动态随机访问存储器 容量在8MB至512MB范围内 Flash存储器 大容量中低密度、最大容量达到32GB 8.1.1 闪速存储器 闪速存储器是一种半导体集成电路存储器 在EEPROM的基础上进化而来 英文原文是Flash Memory，简称闪存 主要物理特点是非易失 Non-Volatile，也叫做不挥发 与传统半导体存储器的比较 两种类型的Flash Nor Flash，称为或非型闪存，或者NOR闪存 Nand Flash，称为与非型闪存，或者NAND闪存 Nor Flash是在EEPROM基础上发明的。 Intel公司于1983年首次提出，在1988年商品化。 Nand Flash是1989年东芝公司和三星公司发明的。 十几年以来，世界主要闪存生产商分成Nor和Nand两大技术阵营，积极开展研发和生产。 Nor阵营主要有Intel和AMD公司 Nand阵营主要有Toshiba和Samsung公司 闪存位元工作原理 Intel公司提出的单管叠栅位元结构是基于EPROM隧道氧化层（ETOX，EPROM Tunnel Oxide）的位元结构，该位元结构最为简单实用。 下面以ETOX结构为例介绍Flash存储器记忆位元的结构原理。 ETOX位元结构 ETOX单元结构是由两个相互重叠的多晶硅栅组成，浮栅（FG，Floating Gate）用来存储电荷，以电荷记录所存储的数据；控制栅（CG，Control Gate）作为字选择栅极起控制与选择的作用。 通过控制栅字线的电平状态能够检测所存储的是“0”还是“1”。 Flash存储位元结构图 Flash位元编程操作1 Flash位元编程操作2 Nor Flash记忆单元块的结构 Nor Flash存储器的一个存储单元（记忆单元）使用一个晶体管。每个晶体管有一个字线和一个位线与之相连。在这种存储阵列布局下，对某一根位线而言，有一组字线（例如8根）与之相交，在交叉点上有一个晶体管与两线相连。 Nor Flash记忆单元块读操作图解 Nor Flash的读操作说明 读数据时，未被选中字线上的晶体管栅极为接地电平，致使晶体管截止，成为逻辑值“1”。 选中字线上的栅极为高电平，并且这个晶体管的漏极会和该位线连通。于是位线上的电平逻辑取决于选中晶体管的逻辑。如果为“1”则晶体管导通，相应读出放大器（RA，Read Amplifier）输出“1”。如果为“0”，RA输出也为“0”。Nor Flash的逻辑功能类似于NOR门（或非门），由此而命名为Nor Flash。 Nand Flash记忆单元块的结构 核心结构是将8个晶体管的漏极和源极头尾相连接成一组，最高端接位线，最低端与高电压的源极Vs相连接。存储阵列的行线是字线，平时保持适合的电平状态，使得这些晶体管通常是处于导通状态。读出数据时，被选中的字线加高电平，未选中字线上的存储单元不论存储的值是逻辑0还是逻辑1都是导通的。这样，被选中的存储单元如果存“1”则导通，输出“1”，位线为高电平；如果存“0”则截止，位线为低电平，输出“0”。这个逻辑功能类似于NAND门（与非门）。 Nand Flash记忆单元块读操作 Nor Flash存储阵列分析 以8行 x 8列的Nor Flash存储单元阵列为例，说明下面三种操作的工作机理。 擦除 编程（写操作） 读出 参看教材243页的Nor Flash存储矩阵分析 Nor Flash存储阵列的擦除操作 Nor Flash存储阵列的编程操作 Nor Flash存储阵列的读出操作 NAND Flash存储阵列分析 以8行 X 8列的Nand Flash存储单元阵列为例，说明下面三种操作的工作机理。 擦除 编程（写操作） 读出 参看教材244页的Nand Flash存储矩阵分析 Nand Flash存储阵列的擦除操作 Nand Flash存储阵列的编程操作 Nand Flash存储阵列的读出操作 典型的Nand Flash闪存芯片的存储单元立体阵列结构 下面给出一个典型的Nand Flash闪存芯片的存储单元立体阵列