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電子電路佈線與構裝 1月作業 通訊四甲 李忠憲 * TSV製程技術整合分析 International SEMATECH (ISMT)於公元2005年開始，將三維導線互連技術(3D Interconnects)列為首要挑戰性技術之排名榜上。發展TSV技術之主要驅動力在於導線長度之縮短，以提升訊號與電力之傳輸速度，在晶片微縮趨勢下，這些都是最具關鍵性之性能因素。TSV製程技術可將晶片或晶圓進行垂直堆疊，使導線連接長度縮短到等於晶片厚度，目前導線連接長度已減低到70μm。而且可將異質元件進行整合(Heterogeneous Integration of Different ICs)，例如將記憶體堆疊於處理器上方，由於TSV垂直導線連接可減低寄生效應(Parasitic) (例如：雜散電容、藕合電感或電阻洩露等)，可提供高速與低損耗之記憶體與處理器界面。如果搭配面積矩陣(Area Array)之構裝方式，則可提高垂直導線之連接密度。針對TSV主要關鍵製程技術進行系統性探討，內容包括：導孔的形成(Via Formation)、導孔的填充(Via Filling)、晶圓接合(Wafer Bonding)、及各種TSV整合技術(Via Fist, Via Last)等。 導孔的形成(Via Formation) TSV導孔的形成可使用Bosch深反應性離子蝕刻(Bosch Deep Reactive Ion Etching; Bosch DRIE)、低温型深反應性離子蝕刻(Cryogenic DRIE)、雷射鑽孔(Laser Drilling)，或各種濕式蝕刻(等向性及非等向性蝕刻)技術。在導孔形成製程上特別要求其輪廓尺寸之一致性，以及導孔不能有殘渣存在，並且導孔的形成必須能夠達到相當高的速度需求。導孔(Via)規格則根據應用領域的不同而定，其直徑範圍為5~100um，深度範圍為10~100um，導孔密度為102到105 Vias / Chip 雷射鑽孔(Laser Drill) 雷射鑽孔技術起源於1980年代中期，由於雷射鑽孔對於矽會有溶解現像，所以會產生飛濺的矽殘渣。使用雷射鑽孔來形成TSV導孔時，兩個主動元件(Active Devices)之間最小必須保持2μm的距離，以防止元件特性受到影響。針對直徑小於25μm的導孔，則很難採用雷射鑽孔來形成TSV導孔。一般雷射鑽孔所形成導孔側壁(Sidewall)的斜率為1.3°到1.6°。 Bosch深反應性離子蝕刻(Bosch DRIE) 使用Bosch DRIE會快速轉換SF6電漿蝕刻與聚合物氣體(C4F8)表面鈍化兩道步驟，在聚合物沉積與低RF Bias電壓條件下，其蝕刻對於光阻的選擇比很高，在一些情況下蝕刻選擇比甚至可高達100 : 1。Bosch DRIE所形成TSV的導孔側壁(Via Sidewall)非常平直，由於交替變換蝕刻(Etching)和鈍化(Passivation)兩道步驟，所以可確保導孔側壁幾乎呈平直狀態，圖1為Bosch DRIE製程步驟與其所形成TSV導孔之SEM照片。 圖一：Bosch DRIE製程步驟及其所形成TSV導孔之SEM照片。  導孔的填充(Via Filling) 當TSV導孔形成後，接著進行绝緣層(Insulation Layer)沉積，以作為矽和導體間的绝緣材料。沉積绝緣層的方式，包括：熱化學氣相沉積(Thermal CVD) 法、使用Silane和Tetra-Ethoxysilane (TEOS)氧化物之電漿輔助化學氣相沉積(PE-CVD) 法，以及使用低壓化學氣相沉積(LP-CVD)法來沉積氮化物層(Nitride Layer)。  一旦形成绝緣層後，緊接著進行金屬化沉積，TSV導孔填充的導電材料，則包括：銅(Cu)、鎢(W)和多晶矽(Polysilicon)等。其中，銅具有優良導電率，電鍍銅(Copper Electroplating)可作為TSV導孔之充填。如果TSV導孔深度較淺時，電鍍銅可完全充填導孔。然而，當TSV導孔之深度較深時，由於矽熱膨脹係數( 3 ppm /℃)與銅熱膨脹係數( 16 ppm /℃)相差極大，使用電鍍銅作導孔完全充填時，會產生熱機械應力(Thermo-Mechanical Stress)，進而導致內部介電層(Internal Dielectric Layer)與矽基材產生裂縫(Crack)。 此外，在TSV導孔側壁(Sidewall)沉積絕緣層薄膜會有高電容產生，進而影響電性。針對大直徑TSV導孔，由於使用電鍍作充填之速度太慢，圖二為比利時IMEC改採用厚度為2~5μm聚合物(Polymer)絕緣層來填補電鍍銅充填導孔所剩下的體積。由於厚度較厚之聚合