【2017年整理】二极管简介.doc

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【2017年整理】二极管简介

二极管简介 二极管的工作原理 ?晶体二极管一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相作用使载流子的扩散电流增加引起正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值生载流子的倍增,产生大量电子空穴对,产生数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 ? 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面介绍一下二极管的正向特性和反向特性。 1、正向特性 ? 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端、负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,流过二极管的正向电流十分微弱,此时二极管仍然不能导通。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。 二极管的种类及特点 按材料划分 按材料分,有锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管。它们虽然都由PN结构成,但由于材料不同,故性能也不尽相同。锗二极管的压降比硅二极管的压降小,锗管为0.15~0.3伏,硅管为0.6~0.7伏。锗二极管的反向饱和漏电流比硅二极管大,锗管一般为十到几百微安,而硅管在1微安以下。锗管耐高温性能远远不如硅管,锗管最高承受温度不超过100℃,而硅管可高达200℃。 按管芯结构划分 按照管芯结构可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。15分钟,然后置于25℃的环境中5分钟,再置于150℃的环境中15分钟,如此循环10次。 (3)、高低温冲击老化:把器件置于0℃的环境中5分钟,然后取出马上置于100℃的环境中5分钟,接着取出马上置于0℃的环境中5分钟,如此循环10次。 (4)、高温功率老化:对于普通整流管、开关管等施加80%的VR额定电压,然后置于125℃的环境中168小时,考虑到我司实际情况,目前是置于105℃的环境中48小时;对稳压管我司目前是施加66%的功率置于70℃的环境中48小时。 二极管的加速寿命试验 加速寿命试验是指采用加大应力的方法促使样品在短期内失效,以预测在正常工作条件或储存条件下的可靠性,但不改变受试样品的失效分布。 通过加速寿命试验可达到以下目的: (1)、在较短时间里,对高可靠元器件的可靠性水平进行评估,可用外推法快速预测在规定条件下的失效率; (2)、在较短时间内,对元器件可靠性设计、工艺改进和可靠性增长的效果进行评估; (3)、在较短时间内,加速暴露元器件失效模式和机理,从而可正确地制定失效判据和筛选条件。 必须指出,元器件的电气规格参数指标与其性能稳定可靠是不同的概念,两者之间并没有直接的联系。规格参数良好的元器件,它的可靠性不一定高;相反,规格参数差一些的元器件,其可靠性也不一定低。电子元器件的大部分规格参数都可以通过仪表立即测量出来,但是它们的可靠性和稳定性却必须通过各种可靠性试验,或者大量(或长期)的使用之后才能判断出来。 电子元器件的失效率数据,可以通过对它的可靠性试验求得: λ=失效率=失效数÷(试验器件的总数×运用时间) 失效率的常用单位是Fit(1Fit=10-9/h),一百万个元器件运用1000h有1个失效,就叫做1Fit。失效率越低,说明元器件的可靠性越高。 二极管使用的一些注意事项 二极管应该按照极性接入电路,大部分情况下,应该使二极管的正极(或称阳极)接电路的高电位,而稳压二极管的负极(或称阴极)要接电源的正极,其正极接电源负极。 二极管正常工作需要一定的条件,如果工作条件超过允许的范围,则不能正常工作,甚至造成永久性的损坏。为使二极管能够长期稳定运行,必须注意下列事

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