传感技术(8光电).pptVIP

* 图中：1为透镜窗口，使光线集中在PN结上；2是封装壳体；3是引出电极。 * 光敏二极管和光敏晶体管的材料几乎都是硅(Si)。在形态上，有单体型和集合型，集合型是在一块基片上有两个以上光敏二极管，比如在后面讲到的CCD图像传感器中的光电耦台器件，就是由光敏晶体管和其它发光元件组合而成的。 * 光电池的内阻是随着照度增加而减小的，所以在不同的照度下可用大小不同的负载电阻为近似“短路”条件。负载电阻越小，光电流与照度之间的线性关系越好，且线性范围越宽。用光电池作测量元件时，应根据光强选择负载电阻的大小。总之，负载电阻越小越好。 * 硅光电池有很高的频率特性，可用于高速计数、有声电影等方面。 硅光电池的最大开路电压为600mV，在照度相等的情况下，光敏面积越大，输出的光电流也越大。 * 倍增极Dn（n=4~14）的作用是在N个电子轰击倍增极时，产生σN个二次电子。经过n个倍增极后，原先一个电子就变为σn个电子。所有电子最后被阳极收集，而在光电阴极与阳极之间形成电流i=iφ σn，输出电压USC=iR= iφ σnR * 每种结构的每路脉冲的相位差为360o／n（n为相数）。 * 在三相结构中，三个不同的脉冲驱动电压按图示的时序提供，以保证形成空间电荷区的相对时序。 * 场效应管V用于给A点复位。G点加复位脉冲时，使A点电位等于UDD。 * 硫化铅光敏电阻的暗电阻为1MΩ，亮电阻为0.2MΩ（光照度0.01W/m2下测试），峰值响应波长为2.2μm。硫化铅光敏电阻处于V1管组成的恒压偏置电路，其偏置电压约为6V，电流约为6μA。V1管集电极电阻两端并联68μF的电容，可以抑制100HZ以上的高频，使其成为只有几十赫兹的窄带放大器。V2、V3构成二级负反馈互补放大器，火焰的闪动信号经二级放大后送给中心控制站进行报警处理。采用恒压偏置电路是为了在更换光敏电阻或长时间使用后，器件阻值的变化不至于影响输出信号的幅度，保证火焰报警器能长期稳定地工作。 8 光电传感器 8.1 光电器件 光电器件是将光能转换为电能的一种传感器件，它是构成光电式传感器最主要的部件。光电器件响应快、结构简单、使用方便，而且有较高的可靠性，因此在自动检测、计算机和控制系统中，应用非常广泛。 光电器件工作的物理基础是光电效应。在光线作用下，物体的电导性能改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻等就属于这类光电器件。在光线作用下，能使物体产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应，即阻挡层光电效应，如光电池、光敏晶体管等就属于这类光电器件。在光线作用下，能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管就属于这类光电器件。 一、光敏电阻 l．光敏电阻的工作原理与结构 光敏电阻又称光导管，工作机理：光电导效应。 光电导效应：半导体受到光照射时会产生电子-空穴对，使其导电性能增强；光线越强，半导体的阻值越低。这种光照射后电导率发生变化的现象，称为光电导效应。 光敏电阻几乎都是用半导体材料（如：硅、锗、硫化镉、硫化铅、锑化铟、硒化镉等）制成的光电器件。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。无光照时，光敏电阻值（暗电阻）很大，电路中电流（暗电流）很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时，它的阻值（亮电阻）急剧减少，电路中电流迅速增大，故称之为光电导器件或光电导探测器，用于测量一定波长的光强。 一般希望暗电阻越大越好，亮电阻越小越好，此时光敏电阻的灵敏度高。 * 光敏电阻的原理结构如图。它是涂于玻璃底板上的一薄层半导体物质，半导体的两端装有金属电极，金属电极与引出线端相连接，光敏电阻就通过引出线端接入电路。为了防止周围介质的影响，在半导体光敏层上覆盖了一层漆膜，漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最大。 * 2.光敏电阻的特性 1）暗电阻、亮电阻与光电流 暗电阻：光敏电阻在未受到光照射时的阻值，对应的电流为暗电流。 亮电阻：光敏电阻在受到光照射时的阻值，对应的电流为亮电流。 光电流：亮电流与暗电流之差称为光电流。 实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧级，亮电阻在几千欧以下，暗电阻与亮电阻之比一般在102~106之间。 2）伏安特性：在一定照度下，流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系称为光敏电阻的伏安特性。所加的电压越高，光电流越大，线性，且无饱和现象。 3）光照特性：在给定电压下，光电流的数值将随光照增强而增大。绝大多数光敏电阻的光照特性是非线性的。由图可见。 * 4）光谱特性：光敏电阻的相对