固体电子学(第12章)光电效应.pptVIP

第三章 晶格振动与晶体的热学性质 单原子链的振动方程 双原子链的振动方程 色散关系讨论 声子能量与分布几率 比热容的量子解释 热膨胀的解释 * 第四章 金属自由电子论 自由电子理论 电子的能量和比热容 电子的电导和热导 电子热发射和接触电势差 霍尔效应 自由电子气模型的局限 * 第五章 固体能带理论 布洛赫定理 近自由电子理论 紧束缚理论 能带分布 电子的有效质量 导体，半导体，绝缘体的能级分布 * 第六章 半导体电子论 半导体的能带结构 载流子类型和掺杂原理 掺杂半导体的能级结构 载流子浓度 载流子的扩散和漂移 PN结原理 * 第七章 金属-半导体接触 金属与半导体的接触：肖特基接触和欧姆接触 肖特基接触的特点，肖特基势垒，肖特基二极管 欧姆接触的特点，实现方法 * 第八章 金属-绝缘体-半导体接触 ?表面态 表面电场效应 MIS结构 电容–电压特性 * 第九章 固体的磁性 简介 磁性起源 磁性物质的划分 磁性的解释 * 第十章 超导电性 宏观基本特性： 零电阻 ________ 超导电性热力学（二级相变理论） 迈斯纳效应 超导电性电动力学（伦敦－皮帕德） 微观机制： 电子对相干凝聚（e-p）————— BCS微观理论 第二类超导体： G-L-A理想第二类超导体理论，k1/2 强电应用 约瑟夫森效应： 弱电应用 本ppt由凌霄书屋网/book/0/61/整理发布 * * * * 在T=0K时，半导体的价带被填满成为满带，但当温度升高时，满带（价带）中的电子受激发而越过较窄的禁带跃迁到上面的空带（导带）中。当价带中的电子向导带跃迁后，价带也出现空位（空穴），此时价带和空带均成为导带。在外电场的作用下，空带中的电子和价带中的空穴均参与导电，两者反向移动而形成同向电流（空穴带正电荷）。 * * 在正常状态下，电子处于低能级E1，在入射光作用下，它会吸收光子的能量跃迁到高能级E2上，这种跃迁称为受激吸收。电子跃迁后，在低能级留下相同数目的空穴。 在高能级E2的电子是不稳定的，即使没有外界的作用， 也会自动地跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量转换为光子辐射出去，这种跃迁称为自发辐射。大量不同激发态的电子自发跃迁产生的光，其频率和方向分布在一定范围内，相位和偏振态是混乱的，这种光称为非相干光。 在高能级E2的电子，受到入射光的作用，被迫跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量产生光辐射，这种跃迁称为受激辐射。受激辐射产生的光在频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同，这种光称为相干光。 * * 粒子数反转成为物质发射光的关键。以下部分主要介绍如何实现物质的粒子数反转 * * 5 正向偏压使耗尽区变窄，便于n型（或者p型）半导体的多少载流子向对方扩散，导致p型（或者n型）内的少数载流子浓度大大增加。 * * GaAs，Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料。兼具硅和鍺的優點，是繼鍺、矽之後發展起來的新一代半導體材料。具有遷移率高、禁帶寬度大等特點，可用來做超高速、超高頻微波及光纖通訊器件。 * * 基本的光学谐振腔由两个反射率分别为100%和90%-95%的平行反射镜构成(如图所示) 。由于谐振腔内的激活物质具有粒子数反转分布，可以用它产生的自发辐射光作为入射光。入射光经反射镜反射，沿轴线方向传播的光被放大，沿非轴线方向的光被减弱。反射光经多次反馈，不断得到放大，方向性得到不断改善，增益大幅度得到提高。 * * 这种结构只对载流子和光子形成纵向约束，为了得到更好的性能需要对它们进行横向约束。根据横向约束方法的不同，这种结构进一步可以分成两种类型。 * * 边模抑制可以达到30dB，且对电流和温度变化不太敏感，而且P-I曲线线性度好 理想对称的DFB激光器会同时发射两个0阶模。但实际中可以通过人为地使结构不对称导致模式增益的退化，最终导致单模操作 [1] H. Kogelink and C. V. Shank,Coupled-Wave Theory of Distributed Feedback Lasers, Journal of Applied Physics, vol. 43, no. 5, May 1972. [2] 蔡伯荣，半导体激光器，1995年10月 直接带隙：导带的最低位置位于价带最高位置的正上方；电子空隙复合伴随光子的发射。III-V族元素的合金，典型的如GaAs等。 间接带隙：导带的最低位置不位于价带最高位置的正上方；电子空隙复合需要声子的参与，声子振动导致热能，降低了发光量子效率。 发光材料的选择 * LD的原理和结构 激光，英文LASER是Light Amplification by Stimulated Emi