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不同硫化温度对Cu2ZnSnS4薄膜质量及太阳能电池性能的影响.pdf

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45卷第7期 人 工 晶 体 学 报 v。1.45N。.7 :::垒坚:鱼鱼垦三』!:::一 !Q型堡堕垒兰Q!墨兰堕!坚垦!!垦堡垦!量!垒堡 !竺!!!兰Q!垒 不同硫化温度对Cu2ZnSnS4薄膜质量 及太阳能电池性能的影响 李志山,王书荣,蒋 志,杨 敏,陆熠磊,刘思佳,赵其琛,郝瑞亭,杨培志 (云南师范大学太阳能研究所,教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,云南省农村能源212程重点实验室,昆明650500) 膜的晶相结构、表面形貌、化学组分、相的纯度和光学性能。结果表明:在580℃下所制备的CZTS薄膜光滑致密、 结晶质量好,同时化学组分属于贫铜富锌,而且无其他二次相,禁带宽度约为1.5eV。符合高效率太阳电池吸收层 的要求。将CZTS吸收层按照SLG/Mo/CZTS/CdS/i—ZnO/ITO/A1的结构制备成面积为0.12em2的电池并进行,.y 测试。测试结果表明,在580 oC硫化后制备的CZTS薄膜太阳电池具有最高的转换效率为3.59%。 关键词:磁控溅射;CZTS;硫化温度;薄膜太阳能电池 中图分类号:0484.1 文献标识码:A Effect ofDifferentSulfurization on TemperaturesQuality of Thin of Filmsand SolarCell ZnSnS4 Properties Cuz LI Zhi-shah,WANGShu—rong,JIANGZhi,YANGMin,LUYi—lei, LIU Pei-zhi Si-jia,ZHAOQi—chen,HAORui—ting,YANG Research ofAdvanced and forRenewable (SolarEnergy Laboratory Technology EnergyMaterials, Institute,Key Preparation of Province ofRural Normal MinistryEducation,YunnanKey EnergyEngineering,YunnanUniversity,Kunming650500,China) Laboratory 1 25 (ReceivedJune 1uly2016) 2016,accepted andCuSas CZTSthinfilmsandsolarcellswerefabricated Abstract:UsingZnS,Sn targets,the by influenceofdifferentsulfurization on ofCZTSthinfilms magnetronsputtering.The

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