RK3188四核方案 强势解析.pptVIP

28纳米四核航母 RK3188 中国首颗28纳米芯片 1，国际领先28nm工艺 2，四核A9架构 性能远超A7 3，高速InterChip USB接口，4G - LTE绝配 4，意想不到的超低功耗 采用先进28nm工艺 1，专为移动设备设计 2，提供更长的电池续航时间与更强劲的性能指标 3，相比45nm LP SoC低功耗工艺，新工艺性能提升55%的，功耗节省60% 4，提升了晶体管开关速度 减少栅极漏电量 降低栅极电容 1.中国首颗28纳米4核心芯片！ 四核芯片工艺 RK 3188 Snapdragon S4 Exynos 4412 Tegra 3 K3V2 A31 制程 28nm 28nm 32nm 40nm 40nm 40nm 28nm一个A9核 = 40nm两个A7核 A9运算能力超强于A7 35% A9每次执行4条指令,A7只能执行2条 A9比A7每秒运速 高60万个浮点；四核相比，高240万运算数 ARM A9 具乱序执行架构,A7不具备 2.A9性能超强于A7 Cortex-A9 Cortex-A7 解码Decode能力 2-wide Partial Dual-issue 乱序执行 是 否 DMIPS/MHz （每秒执行百万条指令） 2.5 1.9 3.提前进入4G时代 RK3188提供最新的高速通信接口，可优先用于连接4G（LTE FDD/TD-LTE）、3G模组，实现超高速数据传输，从而为你打开高速上网之门，提前进入4G时代，实现最完美数据传输体验。 高速通信接口将支持高达480Mbps的数据传输速率，将现有的通用接口提高100多倍！这种标准可以运行在较低的CMOS电平下，而且接口相当简单——只有2根连接线。这一标准还能通过避免采用模拟元器件而节省功耗、最大程度地降低成本。高速传输功耗只有16mW,是USB2.0的五分之一。 4.功耗更低! A9四核平铺架构，内耗减弱 游戏、视频、网页浏览、数据传输下功耗低40% 28nm比40nm工艺 功耗节省20% 名词解释：28nm纳米工艺 28nm纳米工艺 这种新工艺是专为移动设备应用处理器而设计的，包括高性能智能手机、平板机、笔记本、上网本等等设备，可凭借超低漏电晶体管提供更长的电池续航时间。 相比45nm LP SoC低功耗工艺，新工艺在同等频率下可节省60%的运行功耗，在同等漏电率下可带来55%的性能提升。 国际厂商多核战略，均优先选择28nm工艺。