电力电子技术之二器件二极管.pptVIP

Power Electronics * Power Electronics * Power Electronics * Power Electronics * Power Electronics * 二、电力二极管1、Power Diode * 二极管是一种由PN结构成的两端器件。 功率二极管是一种PN结面积比较大的二极管(一般 指电流容量在1A以上的二极管)， 多用硅材料做成。 分为低频功率二极管和高频功率二极管。 低频功率二极管主要用于50Hz电源整流， 高频功率二极管主要用于高频整流电路、传递无功功率的续流电路和功率开关的缓冲电路。 目前比较成熟的产品有PN型、PIN型快速恢复二极管和功率肖特基二极管。 二、电力二极管1 、快速功率二极管工作原理 1.1 结构与工作原理 二极管的核心是PN结， PN结最基本的特性是单向导电性。因此二极管最适于做成将交流电变为直流电的整流二极管。二极管的图形符号如图所示， PN结的P端引线称为阳极A， PN结的N端引线称为阴极K。 * 二、电力二极管1 、快速功率二极管工作原理 当二极管(即PN结) 接上正向电压(简称正偏) 时， 即阳极A (P) 接电源正端， 阴极K (N) 接电源负端， 二极管导电， 电流从A (P)流至K (N)； 当二极管即PN结接上反向电压(简称反偏) 时， A (P) 接电源负端， K (N) 接电源正端， 二极管不导电(简称截止或阻断)。 * 二、电力二极管1 、快速功率二极管工作原理 (1) 正向接法 二极管的正向接法见图(b)， PN结外加电压所产生的外电场EC与内电场Ei方向相反， 因此PN结的内电场被削弱。其PN结等效正向电阻很小，管子两端正向电压降仅约1V左右(大电流硅半导体电力二极管超过1V， 小电流硅二极管仅0.7V，锗二极管约0.3V)。这时的二极管在电路中相当于一个处于导通状态(通态) 的开关。 * 二、电力二极管1 、快速功率二极管工作原理 (2) 反向接法 二极管的反向接法见图(c)， PN结外加电压所产生的外电场Ee与原内电场Ei方向相同。外电场使原内电场更增强， 其PN结等效正向电阻很大，因此反偏时二极管电流极小。这个电流称为二极管的反向电流， 也称为反向饱和电流Is。 * 二、电力二极管1、Power Diode * Power Diodes Stud type “Hockey-puck” type 二、电力二极管1 、快速功率二极管工作原理 1.2 特性与参数 (1) 静态特性 理想的二极管静态伏安特性曲线如图中的曲线①所示。但实际上二极管静态伏安特性为图中的曲线②。 * 二、电力二极管1 、快速功率二极管工作原理 ①二极管正向导电时必须克服一定的门坎电压UT (UT又称死区电压)。当外加电压小于死区电压时， 外电场不足以克服PN结内电场。因此正向电流几乎为零。硅二极管的门坎电压UT约为0.5V， 锗二极管约为0.2V。当外加电压大于UT后内电场被大大削弱， 电流才会迅速上升。 * 二、电力二极管 1 、快速功率二极管工作原理 * 二、电力二极管1 、快速功率二极管工作原理 ②当二极管外加反向电压UR但还不超过某一临界击穿电压值URBR时才会使反向电流IR保持为反向饱和电流Is。实际二极管的反向饱和电流Is是很小的。但是当外加反向电压超过URBR后二极管被电击穿， 反向电流迅速增加。工作时若无特殊的限流保护措施， 二极管被电击穿后将造成PN结的永久损坏而丧失单向导电能力。为防止二极管出现电击穿， 使用中通常只允许施加于二极管的最高反向工作电压为其击穿电压URBR的1/2。 * 二、电力二极管1 、快速功率二极管工作原理 在高频开关状态下工作时， PN结的高频等效电路如图所示， 图中R表示PN结的电阻。C表示PN结的电容， R、C不仅与二极管本身结构和工艺有关， 还与外加电压方向有关。当PN结处于正偏时， R为正向电阻，其值很小， 结电容C很大。当PN结处于反偏时， R为反向电阻， 其值很大， 但这时结电容很小。从图可知， 由于存在结电容C，二极管从导通状态(C很大， 存储电荷多) 转到截止阻断状态时， 需要一定的时间消存储电荷Q以后， 二极管才能恢复反向阻断电压的能力而处于截止状态， 然后在反向电压作用下， 仅流过很小的反向饱和电流IS。 * 二、电力二极管1 、快速功率二极管工作原理 (2) 主要参数 ①最大允许反向重复峰值电压URRM。该参数是指二极管能够允许瞬时峰值的最大值， 也被定义为二极管的额定电压URR。显然URRM (或URR) 应小于二极管的反向击穿电压URBM。 * 二、电力二极管1 、快速功率二极管工作原理 (2) 主要参数 ②额定电流IFR。该参数被定义为其额定发热所允许正弦半