微电子TCAD课程设计.docx

微电子器件课程设计报告项目：厄利电压的测量班级：微电xxxx学号：xxxxxx姓名：xxx课程设计报告1.目的随着当今科学技术的进步，有越来越多的器件被发明，但是有的器件和人们所设想的有一定的偏差，比如晶体管的输出特性曲线和厄利电压，现在来研究一下这个电压。双极结性晶体管（NPN）的集电极电流数值上等于从发射区注入基区的空穴形成的空穴扩散电流与空穴在渡越基区时发生少量复合而形成的空穴复合电流之差。在理想的三级管中，当VBE0.7V时,集电极电流为零，当VBE0.7V时,双极结性晶体管导通，当VBC=0,即VCE=VBE,IC=ΒIB,当VBC0,此时集电极电流为IC=ΒIB+ICEO(ICEO代表基极开路，集电极反偏时从发射极穿透到集电极的电流，称为集-发电流)，可见集电极电流IC与输出端电压VCE无关。但在实测的晶体管特性曲线中，IC在放大区随VCE的增加而略有增加。这是由基区展宽效应（厄利效应）引起的。2.工作原理厄利效应，也称基区宽度调制效应，是指当双极性晶体管（BJT）的集电极－发射极电压VCE改变，基极－集电极耗尽宽度WBC（耗尽区大小）也会跟着改变。此变化称为厄利效应。下图中的有效中性基区为P所在的那个区，基区相邻的耗尽区为相临的画有阴影的那个区，中性发射区和集电区为左右两边N所在的两个区，集电区相邻的耗尽区为相邻的画有阴影的那个区。从下图中可以看到，若集电极－基极反向偏置电压增大，则基区相邻的耗尽区越宽，中性基区越窄。基区变窄对于电流的影响有以下两方面，由于基区变得更窄，电子与空穴复合的可能性更小。若穿过基区的电荷梯度增加，那么注入基区的少子电流会增加。在反向偏置电压的作用下，集电结势垒区宽度增宽。势垒区右侧向中性集电区扩展，左侧向中性基区扩展。这使得中性基区宽度WB减少，如下图所示。基区宽度的减少使基区少子浓度梯度增加，必然导致电流放大系数和集电极电流的增大。若集电区电压升高，以上因素都会使集电区或晶体管的输出电流增大，如下图所示的双极结性晶体管输出特性曲线。特性曲线中电压较大时的切线进行反向外推，其延长线与电压轴相交，在电压轴上截得的负截距称为厄利电压，记为VA。从厄利效应可以看出，如果双极结性晶体管的基区宽度发生变化，会导致更大的反向偏置电压在集电极－基极，会增加集电极－基极耗尽区宽度，减少基区宽度。总的来说，增加集电极电压（VC），集电极电流（IC）也会跟着上升。厄利电压的推导：现在VBE为定值时，IC随VCE的变化率。如果忽略基区中的复合与ICEO，则IC可表示为 IC=AEqDBni2[exp(qVBE/kT)-1]/∫WB→0NB(x)de将上式对VCE求偏微分，并注意到式中只有WB是随VCE变化的，得到ЪIc/ъVCE∣VBE=ICNB(WB)(-dWB/dVCE)/∫WB→0NBdx上式是在VBE为常数的条件下得到的。事实上由于基区复合很小，多数晶体管的基极电流IB主要是由从基区向发射区注入少子的电流组成。因此VBE不变也就意味着IB不变，从而得ЪIc/ъVCE∣IB= ICNB(WB)(-dWB/dVCE)/∫WB→0NBdx=IC/VA=1/r0上式中，VA称为厄尔利电压，r0称为共发射级增量输出电阻，分别有以下两式表示 VA=∫WB→0NBdx/NB(WB)(-dWB/dVCE) r0=ЪVCE/ъIc=VA/IC当VCE增加时，WB减少，因此VA是正的。上面第二式表明在晶体管的输出端并联着一个增量输出电阻r0因VCE=VBE+VCB,故当VBE为定值时dVCE=dVCB,VCB是集电结上的反向电压。当VCB变化时，集电结势垒区中性基区一侧的电荷变化量为dQTC=ACNB(WB)(-dWB)上式中，AC是集电结面积。根据集电结势垒电容的定义，有 CTC≡dQTC/dVCB=ACqNB(WB)(-dWB/dVCB)另一方面，中性基区的平衡多子总电荷可表示为 QBBO=AEq∫WB→0NBdx于是厄利电压可表示为 VA=QBBOAC/(CTCAE)实际上当集电极电压VCB变化是QBBO及CTC也会发生变化，所以VA是VCB的函数。通常把VCB=0时的VA之值称为厄利电压。对于均匀基区晶体管，上面第五式（∫WB→0NBdx）中的积分等于NBWB。有因基区宽度WB的减少量就是势垒区宽度xdB的增加量，即-dWB=dxdB,xdB是由给出的P区一侧的势垒区宽度xp。这时VA的表达式可简化为 VA=WB/(-dWB/dVCB)=WB/(-dxdB/dVCB)=2WBVbi/xdB从上式可知，对应于IB为不同常数时的各条IC-VCE曲线VCE接近于零时的切线均交于横坐标的（-VA）。显然，VA越大，则增量输出电阻r0越大，IC-V