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模拟电路部分小结.ppt

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模拟电路部分小结整理

3、集成运算放大电路的应用 * * 模拟电路部分复习小结 本课程的主要内容 半导体基础知识 二极管的工作原理、分析方法 三极管的工作原理、分析方法 场效应管的工作原理、分析方法 基本放大器 负反馈放大器 集成运算放大器 器件 放大器 一、 常用半导体器件 1、半导体的基本知识 本征半导体—完全纯净的、具有晶体结构的半导体。 杂质半导体—在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。 N型半导体的多数载流子(多子)为电子, 少数载流子(少子)为空穴; P型半导体的多数载流子(多子)为空穴, 少数载流子(少子)是电子。 二极管 :一个PN结就是一个二极管。 单向导电:二极管正极接电源正极,负极接电源负极时电流可以通过。反之电流不能通过。 符号: 3、半导体二极管 PN结正向电阻小,反向电阻大——单向导电性。 2、PN结的形成 4、晶体三极管 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 IC与IB之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流,必须使发射结正偏,集电结反偏。 输出特性三个区域的特点: 放大区:发射结正偏,集电结反偏。 即: IC=?IB , 且 ?IC = ? ?IB (2) 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。 即:UCE?UBE , ?IBIC,UCE?0.3V (3) 截止区: UBE 死区电压, IB=0 , IC ?0 N沟道结型场效应管 D G S P沟道结型场效应管 D G S 结型场效应管JFET 4、场效应晶体管 G S D N沟道增强型 (没有导电沟道) 绝缘栅型场效应管MOS N 沟道耗尽型 (有导电沟道) G S D G S D P 沟道增强型 (没有导电沟道) P 沟道耗尽型 (没有导电沟道) G S D 三极管放大电路有三种形式 共射放大器 共基放大器 共集放大器 以共射放大器为例讲解工作原理 二、 信号放大电路 放大电路的分析方法 放大电路分析 静态分析 动态分析 估算法 微变等效电路法 多级放大电路 多级放大电路有四种常见的耦合方式: 直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合 负反馈 交流反馈 直流反馈 电压串联负反馈 电压并联负反馈 电流串联负反馈 电流并联负反馈 稳定静态工作点 负反馈的分类小结 负反馈对放大电路的影响 一、对放大倍数的影响 二、改善波形的失真 三、对输入、输出电阻的影响 1. 串联负反馈使电路的输入电阻增加 2. 并联负反馈使电路的输入电阻减小 3. 电压负反馈使电路的输出电阻减小 4. 电流负反馈使电路的输出电阻增加 四、扩展通频带 乙类互补对称功率放大电路 RL T1 ui + _ +VCC _ iC1 iC2 io T2 VCC uo + _ A 存在交越失真 三、 集成运算放大器 1、差分放大电路(抑制零点漂移) 1.电路两边对称。 2.两管共用发射极电阻Re。 3.具有两个信号输入端。 4.信号既可以双端,也可以单端输出。 集成运放的电路符号 2、 集成运算放大电路 集成运放的理想化参数是: ① 开环差模增益(放大倍数)Aud=∞ ; ② 差模输入电阻Rid=∞ ; ③ 输出电阻Ro=0; ④ 共模抑制比KCMR=∞ 。 (2)两条重要结论 ① 理想集成运放两输入端的净输入电压等于零。即 ② 理想集成运放的两输入端电流均为零 。即 通常称为“虚短” 通常称为“虚断” *

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