灯用三极管的损坏机理 研究及半桥电路原理细探.ppt

  目录 1、灯用三极管损坏机理研究及深爱灯用三极管的发展过程 2、Hfe、“瞬态冷爆”及深爱抗过饱和电路 3、ts、μe及其他 4、荧光灯电子镇流基本工作原理的初步细探 一、损坏机理研究及深爱灯用三极管产品发展过程 BUL6800灯用系列 及改进型的灯用MJE13000系列 110V出口灯用L系列 抗过驱动带D系列 (110VDL) 一、灯用三极管损坏机理研究及产品发展过程 当时遇到的主要矛盾 深爱十多年来一直与灯打交道 当时行业内有一种潮流，认为灯用三极管的耐压Bvceo要高：450V甚至500V （BUT11） ；成本要低（可以理解）。按这个思路设计三极管，使用中发热严重。 后来一直很受欢迎的13003BR，当时无法推广，反而要我们打算淘汰的老产品，说电压不够。 什么样的产品真正又好用，价格又便宜？ 什么样的产品真正又好用，价格又便宜？ 电压指标够用就行，电流特性是用户最有使用价值的指标。 目前节能灯、电子镇流器普遍采用的线路 上、下管轮流导通工作 电感负载产生的自感电势反峰电压是加在导通管上泄放的。（在原理中进一步分析） 目前节能灯、电子镇流器普遍采用的线路 用世界上最好的示波器去测量三极管CE二端的波形，也找不到400V以上的电压。 实际使用的是Bvcer Bvcer一般要大于Bvceo（用触发管DB3） BVceo=400V已被广泛接受，380-400V的很好用 BVcbo=500V的13001也被广泛接受 最终损坏是功率击穿 最终损坏是功率击穿，即加在三极管上的电压、电流超过了三极管的功率容限，即安全工作区(SOA) （25℃） 最终损坏是功率击穿 三极管的功率容限是随着温度上升而下降的，必须控制三极管的发热(即自身功耗) 在开关工作状态下，晶体三极管上消耗的功率由以下三部分组成： WOFF=VCE×I漏 WON=VCES×IC W过渡=ΣVt×It×△t/t(∫0t Vt It dt/t） 三极管的开关损耗波形图 右图为三极管的开关损耗波形图 直观地显示了以上三部分功率损耗数量的关系 很小、基本固定、变化范围比较大 节能灯、电子镇流器专用三极管BUL6800系列 深爱半导体有限公司推出节能灯、电子镇流器专用三极管BUL6800系列，具有优良的开关特性，在保证电压指标够用的同时，对用户最有使用价值的电流特性，给于了充分的保证（tf、大电流hfe） BUL6800灯用三极管系列产品 BUL中的“L”是“LAMP”-灯的第一个字母。具有优良的开关特性，大幅度提高了产品性能。（结束烧管历史消灭tf大的00-01杭州1.42-1.63） BUL6800灯用三极管系列产品 大芯片小封装，降低成本、缩小体积，原则上对使用无明显影响 广泛用于25W以下节能灯 BUL6800大电流特性小封装产品系列（同一思路） 深爱半导体于国内率先推出大电流特性小封装产品系列，目前，TO-92封装的灯用三极管已经大量用于国产节能灯，为国产节能灯进一步提高竞争能力作出了贡献。 110V出口灯用L系列 同功率的灯，不采用倍压整流时，三极管的电流规格须加倍；采用倍压整流，用两个电解电容，电解电容的可靠性低、体积大，越来越多的110V出口灯产品不再采用倍压整流。深爱半导体于国内率先推出的110V出口灯用L系列，用220V灯同样的三极管成本，提供加倍的电流。 110V出口灯用L系列技术要点 1、三极管芯片面积一定时，其电压电流参数是矛盾的，降低电压参数，就可以提高电流性能。 2、还需要灯电路及灯管参数的配合，包括灯丝电阻。 110V出口灯用L系列： 目前，深爱半导体有限公司已经推出全系列的110V出口灯用L系列产品，所有220V产品都有L型产品 二、Hfe、 “瞬态冷爆”和SI抗饱和电路 “理论上，hFE应尽可能高，以便用最小的基极电流得到最大的工作电流，同时给出尽可能低的饱和电压，这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。但是，其它方面的折衷考虑，例如开关速度和电流容限，则限制hFE的最大值（荧光灯电子控制 AN1049 JNAPPE T SPANGLEX MOTOROLA 美国）。 Hfe、 “瞬态冷爆”和SI抗饱和电路 国内厂家早期曾经倾向于选用hFE较小的，一度hFE=10-15，甚至hFE=8-10的三极管很受欢，因为hFE大的三极管一般其下降时间tf也长，三极管容易发热，采用较小的hFE其目的是为了降低晶体管的发热，降低晶体管的饱和深度。实际上，晶体管的饱和深度受Ib、hFE两个因素的制约 三极管“瞬态冷爆”的问题 开始越来越突出 采用大Hfe、降低基极驱动也可以 随着这方面工作的进一步深入，三极管的发热越来越低，三极管越用越小，线路对三极管的驱动也