电子束蒸发台整理.ppt

电子束蒸发台 杨德超 2011年9月6日 主要内容 电子束蒸发台的用途； 电子束蒸发台的基本结构； 电子束蒸发基本原理； 电子束蒸发的特点。 电子束蒸发台用途 电子束物理气相沉积(EB-PVD) 是以高功率密度电子束作 为热源的一种物理气相沉积技术。自上世纪 70 年代起，国外 对 EB-PVD 开展了研究，随后德国、前苏联获得了成功的应用。 该工艺具有沉积速度快，清洁无污染，材料晶粒细小等优 点，适宜于多种材料体系极薄板的制备，未来发展前景广阔。 实验室中用于在衬底上生长半导体薄膜以及一些金属电极。如 SiO2,，ITO，Al，Ni，Ti等。 电子束蒸发的基本原理 ： （a）电子束的产生： 热电子发射(Thermionic emission)：当高熔点金属被加 热到高温时，其表面电子之动能将大于束缚能而逸出。电子 经过汇集成束，具有高能量密度。 电子束的加速： 由于电子带有电荷，所以电子在电场中可被加速。大 电场（上万伏）下获得很高的动能，高速电子束撞击在薄膜 材料上将转换成热能，其温度可高达数千度而将薄膜材料蒸 发成气体 。 (b)电子束蒸发过程： （1）电流加热灯丝，灯丝产生热电子；（2）电子束在加速电场的作用下达到很高的能量，然后在电磁场的作用下聚焦偏转，轰击在坩埚内的材料上。（3）电子束的能量转化为蒸发材料的热能，温度上升，开始蒸发。 电子束蒸发特点： 优点： 1.因为电子束直接加热在薄膜材料上，且一般装此材料之坩 锅其仓座都有水冷却，因此会比电阻加热法之污染较少，薄膜 质量相对较高。 2.由于电子束可加速到很高能量，一些在热电阻加热法中不 能蒸镀的氧化膜，可利用此法蒸镀（如SiO2 等）。 3.可制作多个坩锅装放不同薄膜材料排成一圈，欲镀时就旋 转至电子束撞击位置，制备多层膜相当方便。 缺点： 1.若电子束及电子流控制不当会引起材料分解或游离，前者 会造成吸收，后者会造成基板累积电荷而形成膜面放电损伤。 2.对不同材料所需之电子束的大小及扫瞄方式不同，因此镀 膜过程中使用不同镀膜材料时则必须重新调整。 3.对于升华材料或稍熔解即蒸发之材料(如SiO2及某些氟化物、 硫化物等)，需加大电子束之大小、扫瞄振幅与频率，或将材料 先压制成块，否则其蒸发速率及蒸发分布不稳定，造成膜厚之 不均匀性。 注意事项 操作过程中的一些注意事项见具体操作流 程。 祝大家研究生期间学习愉快！ E-mail : yangdechao4444@163.com Tel. : * * 冷却系统（循环水） 提供冷却环境，保护设备 电子束蒸发台的基本结构 电子束蒸发过程简图