2015第2次课-第二章半导体异质结的组成与生长课题.pptVIP

1 特点： MBE是一个动力学过程，即将入射的中性粒子（原子或分子）一个一个地堆积在衬底上进行生长，而不是一个热力学过程，所以它可以生长按照普通热平衡生长方法难以生长的薄膜。 MBE是一个超高真空的物理沉积过程，既不需要考虑中间化学反应，又不受质量传输的影响，并且利用快门可以对生长和中断进行瞬时控制。因此，膜的组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。 2 装置 3 MBE生长 （1）表面净化 加温 GaAs 573 oC 离子照射 H原子照射。 4 薄膜生长及生长机理 吸附系数 吸附 脱附 MBE growth mechanism ** MBE growth mechanism * Si RHEED 像 5高能电子衍射 Reflection High Energy Electron Diffraction 生长模式 Self Assembed structures High-resolution TEM image of AlN/sapphire interface grown by MOCVD.The large Lattice mismatch between sapphire and AlN induces a dislocated interface with the thickness on The order of 1mL,after which the AlN epilayer assumes its ownl attice parameter. 第二章 半导体异质结的组成与生长 问题？ 立方晶与六方晶的区别与联系 维达定理 半导体合金材料（用途） MOCVD MBE 自组织生长 RHEED 第一节 材料的一般特性 第二节 异质结界面的晶格失配 第三节金属有机物化学气相外延生长 第四节分子束外延法（MBE） 内容 (1)晶格结构 立方晶 六方晶 晶格常数:Si:5.43A, Ge:5.658A GaAs:5.56A, GaN: c=5.189?,a=3.192? 第一节 材料的一般特性 1 晶格结构 1双原子层堆积 2 偶极层 2 立六方结构 3 六方晶GaN的极性 (0001) N-Face Ga-Face (0001) 两个面具有不同的表面结构、组成和化学特性, 薄膜生长、掺杂和所含缺陷也有着极大的影响 氧氢的吸附 化学腐蚀特性也恰恰相反, 氧、铝等杂质则更易于进入氮面的氮化稼薄 镁的引入会导致薄膜极性的变化。 4 氮化镓材料的极化 5 晶体结构测量 例 对于c=5.189, (0002) 面 d=c/l=2.5945 2d sin?=n? q=arcsin(l/2d) =arcsin(1.5443/5.189)=17.31 2q=34.62 deg 6半导体合金材料 把两种半导体A和B混合成合金时， （1）混合材料的晶体结构。 （2）原子在合金材料内的分布状况。设x为材料A的量，形成AxB1-x时，有以下几种情况： # 两种材料分布在材料的不同区域，形成分凝相。 在每个合金点上，A原子占据的概率为x,B原子占据的概率为(1-x).形成随机合金材料。 A原子和B原子按一定规则形成周期结构，形成超晶格。 在三元合金情况下,如GaAlAs, GaAlN, InGaN. 禁带宽度随组分. Eg(GaxIn1-xN)=Eg(GaN) * x + Eg(InN) * (1-x) – b * x * (1-x) Eg(GaxAl1-xN)=Eg(GaN) * x + Eg(AlN) * (1-x) – b * x * (1-x) 禁带宽度的经验公式 b 适用范围 InGaN 3.2 (strained) X0.20 AlGaN 0.25 (strained) X0.25 InGaN 3.8 (unstrained) X0.20 Jpn.J.Appl.Phys.V36(1996),pp.L177-179 对直接禁带半导体材料，材料的禁带宽度满足： AlGaAs,AlGaN,InGaN.等 应用广泛,波长调节 光限制 载流子限制 第二节 异质结界面的晶格失配 晶格匹配：异质结的两种材料的晶格常数要尽可能匹配。 1 悬挂键 2 界面态 3 由界面态引起的非辐射复合。 为什么要晶格匹配： 悬挂键密度等于交界处键密度之差. S L 包含在这个面中的键数为2. 可以看出，在（111）面上，异质结界面态密度最小。然而实际的器件结构中，由于（110）面易于解理这一性质，常常利用它来作光学谐振腔面。相应地，与其垂直的（100）常被用来作外延生长的异质结界面。因而，其界面态密度相对于其它晶面要高一些。 =2.31 =2.83 =4 第三节金属有机物化学气相外延生长 制造衬底材料 加工制成晶片