【2017年整理】电力电子技术_2.pptVIP

第2章 电力电子器件 ;2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 ;电力电子器件（power electronic device）——可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路（main power circuit）——电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。;2、同处理信息的电子器件相比，电力电子器件的一般特征：;电 力 电 子 器 件 主 要 损 耗;电力电子系统：由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成。;按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类：; 按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类：;2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型及典型应用;1. 正向平均电流IF(AV) 额定电流——在指定的管壳温度（简称壳温，用TC表示）和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。;3. 反向重复峰值电压URRM 指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压 ;1. 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中 其反向恢复时间较长，一般在5?s以上，这在开关频率不高时并不重要。 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;2. 快恢复二极管（Fast Recovery Diode——FRD）;3. 肖特基二极管 反向恢复时间很短（10~40ns） 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲 在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管 其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高 ;二极管的典型应用;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;2.3 半控器件—晶闸管;晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR） 1956年美国贝尔实验室（Bell Lab）发明了晶闸管; 1957年美国通用电气公司（GE）开发出第一只晶闸管产品; 1958年商业化; 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代; 20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代; 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位. ;2.3.1 晶闸管的结构与工作原理;工作原理;其他几种可能导通的情况： 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光直接照射硅片，即光触发; ;2. 动态特性;1. 电压定额; 使晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安，与结温有关。结温越高，则IH越小。;——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。;2.3.4 晶闸管的派生器件;2.双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC）;3. 逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT）;4. 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT）;思考：;2 下图中，要使晶闸管VT导通，门极触发信号最小要维持多长时间？ 已知：E=50V，R=0.5Ω, L=0.5H, IH=10mA, IL=15mA。;3 型号为KP100-3、IH=4mA，晶闸管在下图中应用是否合理？为什么？（不考虑裕量）;2.4 典型全控型器件;2.4.1 门极可关断晶闸管;1. GTO的结构和工作原理;工作原理：;GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别：;2. GTO的主要参数;3) 最大可关断阳极电流IATO;术语用法： 电力晶体管（GTR，巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT） 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，耐压和耐流可达1.5KV,1KA, 可在10KHZ以