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【2017年整理】电场的边值关系9-7
§9-7 *电场的边值关系
1.电位移和电场在介质分界面上的变化
普遍情况下，电位移和电场强度矢量在介质分界面上的变化关系，就是通常所说的电场的边值关系。
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电位移和电场在介质分界面上的变化
电位移矢量的法向分量连续
考虑两个电容率分别为1和2的均匀电介质，在其分界面上取微小闭合圆柱面S,其轴线与分界面正交，上下两底面紧贴分界面两侧，底面积元S0。
由有介质时的高斯定理得
所以
即
分界面上没有自由电荷时，电位移的法向分量连续。
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在均匀电介质中，电位移与电场强度的关系为
“分界面上没有自由电荷时，电位移的法向分量连续”也可以写成
电场强度的法向分量在分界面两侧有突变。
电位移和电场在介质分界面上的变化
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电场强度矢量的切向分量连续
在分界面附近，作一极扁的矩形回路ABCD，由环路定理得
所以
即
电场强度的切向分量在分界面两侧连续。
电位移和电场在介质分界面上的变化
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在均匀电介质中，电场强度与电位移的关系为
则
电位移矢量的切向分量在分界面两侧不连续。
电位移和电场在介质分界面上的变化
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2.电场强度和电位移矢量在分界面上的偏折
上式为电场中电场线和电位移线的折射定律。
电场强度和电位移矢量分界面上的偏折
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例题9-7 一高压电器设备中用一块均匀的陶瓷片（ εr=6.5 ）作为绝缘，其击穿场强为107V/m，已知高压电在陶瓷片外空气中激发均匀电场，其场强 E1与陶瓷面法线成θ1=300角，大小为E1=2.0× 104V/m 。求（1）陶瓷中的电位移 D2 和场强E2 的大小和方向，（2）陶瓷表面上极化电荷的面密度。
解 （1 ）如图中所示，设陶瓷内电位移 的方向与法线成θ2角
边值关系
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边值关系
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电场小于击穿场强，所以陶瓷不会被击穿。
（2）极化电荷的面密度为
边值关系
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电场小于击穿场强，所以陶瓷不会被击穿。
（2）极化电荷的面密度为
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