【2017年整理】薄膜的形成与生长.pptVIP

　薄膜的形成与生长;薄膜的形成过程一般分为：;1凝结过程 2 核形成与生长生长过程 3 薄膜的形成过程与生长模式;1　凝结过程;一、 吸附过程 ;真空蒸发镀膜中，入射到基体表面的气相原子将被悬挂键吸 引住，发生吸附作用。根据吸附原子与表面相互作用力性质 的不同，发生物理吸附或化学吸附;薄膜的形成与生长;当入射到基体表面的气相原子动能较小时，处于物理吸附状态，其吸附能用Qp表示。;从蒸发源入射到基体表面的气相原子到达基片表面之后可能 发生如下三种现象：;吸附的气相原子在基体表面上的平均停留时间与吸附能之间 的关系为;;在表面扩散过程中，单个吸附原子间相互碰撞形成原子对之 后才能产生凝结;;;;单位基体表面吸附的原子数;吸附原子在基体表面停留时间内所迁移的次数为：;n0：单位基体表面上的吸附位置数;如果总捕获面积小于1，即小于单位面积，在每个吸附原子 的捕获面积内只有一个原子，所以，不能形成原子对，也就 不会发生凝结;凝结系数：当蒸发的气相原子入射到基体表面上，除了被弹 性反射和吸附后再蒸发的原子之外，完全被基体表面所凝结 的气相原子数与入射到基体表面上总气相原子数之比称为凝 结系数，并用αc 表示;粘附系数：当基体表面上已经存在着凝结原子时，再凝结的 气相原子数与入射到基体表面上总气相原子数之比称为粘附 系数，并用αs;讨论 α = 1、 α 1、 α= 0时的几种情况;薄膜的形成与生长;薄膜的形成与生长;一、薄膜的形成与生长模式;大多数薄膜的形成与成长都属于第一种形式;薄膜的形成过程是指形成稳定核之后的过程。薄膜成长模式 是指薄膜形成的宏观模式;层状生长模式：;层岛模式 最开始的一两个原子层的层状生长之后，生长模式从层状模式 转化为岛状模式，这种转变机制比较复杂 层岛模式是上述两种模式的中间复合。在这种模式中，在形成一层或更多层以后，随后的层状生长变得不利，而岛开始形成。二维生长到三维生长的转变，人们还未认识清楚其缘由，但任何干扰层状生长结合能特性单调减小因素都可能是出现层岛生长模式的原因。例如，由于膜与基片的点阵失配，应变能在生长膜中累积起来，、当应变能被释放时，在沉积物与中间层形成界面处的高能可能激发岛的形成。;薄膜的形成与生长;核的形成与生长有四步：;三、核形成理论 ;热力学的基本概念;薄膜的形成与生长;薄膜的形成与生长;薄膜的形成与生长;薄膜的形成与生长;薄膜的形成与生长;在Ag原子到达衬底表面的最初阶段，Ag在衬底上先是形成了一些均匀、细小而且可以运动的原子团－“岛”。这些像液珠一样的小岛不断地接受新的沉积原子，并与其他的小岛合并而逐渐长大，而岛的数目则很快地达到饱和。在小岛合并过程进行的同时，空出来的衬底表面上又会形成新的小岛。这一小岛形成与合并的过程不断进行，直到孤立的小岛之间相互连接成片，最后只留下一些孤立的孔洞和沟道，后者不断被后沉积来的原子所填充。在空洞被填充的同时，形成了结构上连续的薄膜。小岛合并的过程一般要进行到薄膜厚度达到数十纳米的时候才结束。 ;在稳定核形成以后，岛状薄膜的形成过程;1. 岛状阶段;薄膜的形成与生长;3. 沟道阶段 ;4. 连续膜阶段;　溅射薄膜的形成过程;从蒸发源蒸发出的气相粒子几乎都是不带电的中性粒子，或 者很少的带电粒子(由热电子发射造成)。;在蒸发合金材料时，由于合金中各组分的蒸气压不同会产生 分馏现象。蒸气压高的组分蒸发快，造成膜层成分同蒸发材 料组分的偏离。;真空蒸发时其真空度较高，一般在10-2～10-4Pa，气体分子 平均自由程比蒸发源到基体之间的距离大。它们基本上保 持离开蒸发源时所具有的能量、能量分布和直线飞行轨迹;3. 成膜过程;入射到基体表面的离子和高能中性粒子对基体表面影响较大 ，可使基体表面变得粗糙、离子注入、表面小岛暂时带电以 及和残余气体分子发生化学反应等。成核条件有明显变化， 成核中心形成过程加快，成核密度显著提高。杂质气体或外 部材料掺入薄膜的机会较多，在薄膜中容易发生活化或离化 等化学反应。另外，由于入射离子有较大的动能，基体和薄 膜的温度变化也比较显著。;薄膜的外延生长;在薄膜形成过程中，对外延生长有较大影响的主要因素有：;薄膜形成过程的计算机模拟;分子动力学（Molecular dynamics）方法是一种古老的方法。 这种方法中对系统的典型样本的演化都是以时间和距离的微观 尺度进行的