第8章 半导体件.pptVIP

电 工 技 术;8.1 半导体器件的基本知识;8.1.1 本征半导体及其导电性; (1）本征半导体的共价键结构; （2）电子空穴对; 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图01.02所示。; (3) 空穴的移动;8.1.2 杂质半导体; (1）N型半导体;(2) P型半导体;8.1.3 PN结;一、 PN结的形成; 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于 P型半导体和N型 半导体结合面， 离子薄层形成的 空间电荷区称为 PN结。在空间电 荷区，由于缺少 多子，所以也称 耗尽层。 ;二、 PN结的单向导电性; (1) PN结加正向电压时的导电情况; (2) PN结加反向电压时的导电情况 ; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN??具有单向导电性。;8.2 半导体二极管;8.2.1 半导体二极管的结构类型; 图 01.11 二极管的结构示意图;图 01.12 二极管的伏安特性曲线;(1) 正向特性;(2) 反向特性; 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 ;8.2.3 半导体二极管的参数; (3) 反向电流IR;8.2.4 半导体二极管的型号;半导体二极管图片;8.2.5 特殊二极管; 图 01.14 稳压二极管的伏安特性 ;电路如图，求：UAB;ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui;8.3 半导体三极管;基区：最薄， 掺杂浓度最低;8.3. 2 电流分配和放大原理;2. 各电极电流关系及电流放大作用;3.三极管内部载流子的运动规律;3. 三极管内部载流子的运动规律;8.3.3 特性曲线;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;1. 输入特性;2. 输出特性;IB=0;8.3.4 主要参数;例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。;2.集-基极反向截止电流 ICBO;4. 集电极最大允许电流 ICM;ICUCE=PCM;晶体管参数与温度的关系