量子井寬度對深紫外光氮化鋁鎵發光二極體發光功率之模擬 .PDFVIP

量子井寬度對深紫外光氮化鋁鎵發光二極體發光功率之模擬與分析 盧宗宏 、指導教授 ：黃滿芳老師 * 國立彰化師範大學物理系所暨光電研究所 彰化市 50058 進德路 1號 *Phone ：04-7232105 Ext. 3318, FAX ：04-7211153, E-mail ：mfhuang@.tw Abstract本文是利用APSYS模擬軟體 ，模擬深紫外光氮化鋁鎵發光二極體在spontaneous polarization and piezoelectric polarization的影響下 ，當元件的量子井寬度為多少時 ，會有較佳的發光功率 。模擬的結 果是當量子井寬度在 1~3 nm時會有較佳的發光功率 。 Keyword ：AlGaN 、UV LED 、spontaneous polarization 、piezoelectric polarization 簡介 目前 ，氮化鋁鎵 （AlGaN ）發光二極體 （light-emitting diodes, LEDs ）發展的趨勢是要讓元件的發光 波長落在深紫外光 （deep UV ）的波段 ，大約是在250 nm 左右，這個波長大概就是日光燈內的原始發光 波長(切確的數據是253.7 nm) ，如此我們就可以直接以 LED激發現有日光燈用的高效率螢光粉 [1-2] ，進 而取代日光燈成為新一代的照明設備，當然前提是 LED的發光功率能大於日光燈的功率 。理論上 ，氮化 鋁 （AlN ）的能隙為 6.28電子伏特 （eV ），氮化鎵 （GaN ）的能隙為 3.44 eV ，調整 AlGaN中 AlN和 GaN 的成分 ，當電子 （electron ）、電洞 （hole ）結合時就可以放出波長 197.5 nm 到364.7 nm的輻射波 ，材料 中含 Al愈多 ，放出來的光波波長就愈短 ，反之 ，含 Ga 越多 ，放出來的光波波長就愈長[3] 。 國外已有許多研究團隊做出 deep UV AlGaN LED ，發光波長從 230 nm 到300 nm ，在數百毫安培下 的脈衝電流下 ，發光功率僅有數毫瓦或是在低溫下用光激法 （photoluminescence, PL ）測量 ，可得到與藍 光氮化銦鎵（InGaN ）發光二極體相同的發光強度 [2 、4-6] 。在 AlGaN的材料中仍有許多問題 ，當 AlGaN 材料中的Al含量高時 ，材料薄膜中就會出現很多缺陷臨界厚度小， ，不易參雜雜質…等問題，所以想要 得到發光功率高的 LED ，須待我們去將以上的問題解決 。本文即是參考A. Yasan 等人的論文[4 ]，其active region的組成是 Al 0.45 Ga 0.55 N /Al 0.42 Ga 0.58 N ，厚度各為 5 nm ，發光波長是 267 nm ，發光功率在 1 安培 的脈衝電流下可達 4.5毫瓦 ，藉由加拿大 crosslight 公司所研發的APSYS模擬軟體[7] ，模擬 deep UV AlGaN LED在 spontaneous polarization and piezoelectric polarization的影響下 ，當元件的量子井 （quantum well ） 寬度為多少時 ，會有較佳的發光功率 [8] 。 元件結構和模擬結果 Yasan所發表 LED的主體結構是一層 900 nm 摻雜濃度很高的 Al In Ga N為n-type contact 0.58 0.02 0.4 layer ，之後再長一層 100 nm的 n-Al 0.5 Ga 0.5 N ，接著長的active region則是一非對稱性的結構 ，主要組 成是一層10 nm的 Al 0.45 Ga 0.55 N 為barrier ，5 nm的 Al 0.42 Ga 0.58 N 為well ，最後是 5 nm的 Al 0.45 Ga 0.55 N 為barrier ，active region 上使用了10 nm的 p-Al 0.6 Ga 0.4 N作為 ca