硅单晶的制备.pptVIP

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  • 2017-06-11 发布于北京
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硅单晶体的制备 桂林电子科技大学职业技术学院 一、多晶硅的制备 多晶硅是硅的多晶体,与硅单晶体的显著区别在于部分晶格原子的无序排列;但多晶硅是制备单晶硅的原始材料。 高纯硅的制备通常首先由硅石(二氧化硅)制得工业硅(粗硅—纯度低、杂质多),再制成高纯多晶硅,经拉制得到半导体材料单晶硅,或称硅单晶。 多晶硅制备方法原理——还原与分解 常见的多晶硅制备方法主要有三种: 四氯化硅氢还原法 三氯氢硅氢还原法 硅烷热分解法 多晶硅制备原理与方法 四氯化硅氢还原法 第一步:四氯化硅制备 第二步:四氯化硅提纯 1、精馏法—分馏 四氯化硅溶液中各化合组分沸点不同,选取适当的温度可以将其分离。 四氯化硅氢还原法 2、吸附法——固体吸附法 利用分子极性进行分离,判断化学键的极性与分子的极性。 判断:CCl4 、H2 、H2O2 四氯化硅为非极性分子,三氯化磷为极性分子, 选择一种吸附剂,能对极性分子有吸附力,对非极性 分子没有吸附力。 四氯化硅氢还原法 活性氧化铝:极性吸附剂—同性相吸,异性相斥 严格控制加热速率,于773K加热制成多孔结构的活性物质 吸附纯化后,四氯化硅纯度可达6至9个“9”,既99.9999%,可用来制备多晶硅。 第三步:四氯化硅还原制得多晶硅 三氯氢硅氢还原法 第一步:三氯氢硅制备

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