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Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province * 沟道电导与阈值电压 实际MOS的C-V特性 Prof. Gaobin Xu Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province of Hefei University of Technology Hefei, Anhui 230009, China Tel.:E-mail: gbxu@hfut.edu.cn Chap.6 MOSFET Lecture 25：§6.3-6.4 Outline 1、阈值电压(Threshold voltage) 2、沟道电导(Channel conductance) 3、实际MOS的C-V特性 （1）影响C-V特性的因素 ① 功函数的影响(Work function) ② 界面陷阱和氧化物电荷的影响 （2）实际MOS阈值电压 （3）实际MOS的C-V特性 反型层在漏源之间的导电通