IECGCT高温特性研究.pdf

摘 要 论文题 目: IECesGC T 高温特性研 究 学科 名称 : 微 电子学与 固体 电子学 研 究 生 : 付 凯 签 名 : 件 扼 指 导教师 : 王彩琳 副教授 签 名 : 邓恻少 摘 要 注 入 效 率 可 控 的 门极 换 流 晶 闸管 (EI C 一G C T ) 是 在 阳极 短 路 型 门极 可 关 断 晶 闸管 (SA 一G T O ) 的基 础 上 发 展 而 来 的一种 新 型大 功率 半 导体 器 件 。由于 该器 件 通 常工 作在 高 压 和 大 电流 下 ，产 生 的高功耗 使其 结温 升 高 ，导致器件 的特 性退 化 ，无法 稳 定 、可靠地运 行 。所 以，研 究 EI C 一G C T 器件 的高温特性非常重要 。 本 文 在 分 析 EI C 一G C T 的结 构 、工 作 原理 和 室温 特 性 的基 础 上 ，重 点分 析 了高温 对 EI C 一G C T 特 性 的影 响 。首先 ，建立 了高温特性 的分析模 型 ，模 拟 了高温 下 EI C 一G C T 的各 项特 性 。然 后 ，采 用 A N SY S 软件 模拟 了 EI C 一G C T 阳极 、 阴极 的散 热情 况 ，提 出改善 IE C 一G C T 高温特 性 的方 法 。最 后 ，给 出 了 2沁叼4 .skV EI C 一G C T 优 化 设计 的结构 参 数 。主 要研 究 内容 如下 : 首先 ，简要地 分析 了 EI C 一G C T 器件 的结构特 点与工作机 理 ，讨 论 了关键 结构参数 对 EI C 一G C T 器件特 性 的影 响 。利 用 SI E 软件 模拟 了 EI C 一G C T 器件 常温 下 的各项特 性 ，并与 SA 一G To 的特 性进 行 了 比较 。结 果表 明 ，EI C 一G C T 的导通特 性 和 开 通特 性 有 明显 改善 。 第二 ，研 究 了高温对 EI C 一G C T 器件 关键特 性 参 数 的影 响 。针对 正C 一G C T 器件 工 作 时 产 生 的各种 物 理 效应 ，选 取 了与 实 际情 况接近 的物理模 型参数 ，建立 了高温特 性 的分析模 型 ，移植 到 sI E 软件 ，模 拟 了高温 下器件 的静态 、动态特 性 。最 后 ，给 出满 足 Zh 叼4 .sVk 要 求 的 EI C 一G C T 器 件 优 化 设 计 的结 构 参 数 。 第 三 ，分 析 了具有 波状 p 基 区C( omi gat de p一bas )e EI C 一G C T 器 件 的结构特 点和 工 作机 理 。利 用 SI E 软件 模 拟 分 析 了具有 波 状 p 基 区 EI C 一G C T 器 件 室温 和 高温 下 的各 项特 性 ， 并 与 常规 的 EI C 一G C T 的特 性进 行 了 比较 。结 果表 明，具有 波状 p 基 区 的 EI C 一G C T 器 件 在 导通 、开 关特 性 以及 反 向安全 工 作 区 (BR SO A )方 面 均 有 所 改善 。 最 后 ，用 A N SY S 软 件模 拟 了 EI C 一G C T 阳极 、 阴极 的散 热情 况 。结果表 明 ， 阳极 区 需选 用 合 适 的导 热 系 数 大 的材 料 作 为 阳极 阻挡 层 ; 并且 ，采 用 梯 形 门一阴极 结构 在 芯 片 使 用 率 、 电流均 匀 性及 散 热 等 方 面 均优 于矩 形 门一阴极 结构 。 该研 究成 果对 G C T 器 件 国产 化研 究和 开 发有 一 定参 考 价值 。 关键 词 : 电力 半 导体器 件 ， 门极换 流 晶 闸管 ，注 入 效 率 ，高温 ，散 热 本 课 题 得 到 国家 自然 基 金 (N o. 508770 “) 资助 A b s tr a C t T itlG : R E S E A R C H