SrBilt4gtTilt4gtOlt15gt与CaBilt4gtTilt4gtOlt15gt铁电薄膜制备与性能研究.pdf

s铁电潭膜制各0件能研咒 SrBi4Ti401t与CaBifn40l 2、同其他铋系钙钛矿铁电薄膜相比，CBTi铁电薄膜的高矫顽电场问题比较突 出，因此我们选择沉积在铂金电极上的CBTi铁电薄膜作为我们的研究对象来研究 A位高价掺杂对矫顽场的影响。结果表明：(1)当Bi过量15％时，我们仍然得到 了一个纯的CBTi的钙钛矿结构。当膜厚为500rim时有利于晶化和伊轴取向晶粒的 生长。(2)掺杂后物相分析结果表明薄膜为多晶结构，通过计算其体积分数，可以 看出随着La元素掺量的增多，(100)取向晶粒的体积分数逐渐增大。即La的加入 有利于提高酗轴取向晶粒的形成。(3)电学测试表明，随着La掺加量的增多，剩 余极化逐渐增大。矫顽场在掺加量x=0．18时最小，大约比未掺杂CBTi的矫顽场小 27．5％。从疲劳测试中我们发现未掺杂的CBTi几乎没有任何疲劳现象；而掺杂后薄 膜的疲劳性能在106和108之间存在一定程度的降低，但是在108之后，极化又恢复 到原来的状态。因此，Lao24Vo 铁电器件的实际应用。掺杂后薄膜的绝缘性有了很大程度的提高。 综上所述，我们的工作为将来各种铋系钙钛矿铁电薄膜的取向控制和矫顽场的 降低打下了坚实的基础，对氧化物薄膜材料的基础和应用研究具有重要的意义。 关键词：铋系层状钙钛矿，锶铋钛，钙铋钛，溶胶．凝胶，铁电薄膜 Ⅱ ABsTRACT Duetotheexcellent endurance onPt fatigue againstpolarizationswitching electrodes，the oxides bismuth—layered-perovskiteincludingSrBi2Ta209(SBD， beenstudied Bi4-xLaxTisOl2，SrBi4Ti40j5(SBTi)andCaBi4Ti4015(CBTi)have fordecades．BothSBTiandCBTi tothe extensively belong oxideswitll octahedrainthe block．TheCurie 4-layeredTi06 perovskite high structure them forthe temperature(疋)andhighlyanisotropic make promising devices．Itisworth thatSBTiand high-temperaturepiezoelectric CBTi noting possess lower tothatof abetter endurance depositingtemperaturecompared SBT,andfatigue thanthatof havebeen on ferroelectric the Bi4Ti3012(813．However,fewreports reported and ofSBTi CBTi the piezoelectricp