- 1、本文档共13页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
CBD学习
目 录
一化学水浴沉积(CBD )概念
二CBD镀膜原理
三化学水浴沉积CdS
四实验过程与结论分析
五CBD的优缺点总结
六CBD的展望
一 化学水浴沉积(CBD)概念
CBD其实质是指在一个大容器里加上水,然后把需要加热且里面含有化学溶剂的容器放
入其中,加热盛有水的大容器。使其通过热传递把热量传入需加热的容器中,是需加热的
的化学溶剂在容器中生长、控制析出物的过程。
温度计
小搅拌子 衬底
小烧杯
大烧杯
打搅拌子
加热
CBD水浴加热示意图
二 CBD镀膜原理
在溶液中利用化学反应或电化学原理在基底材料表面上沉积成膜的一种技术。由于标
准大气压下水的沸点是100摄氏度,但液气转变还需吸收热量,在水浴法里大烧杯里的水
只有100摄氏度,无法为试管里的水提
供热量使里面的试剂沸腾,所以该方法
适用于一些定温加热的反应,如CIGS太
阳能中制备CdS缓冲层。(工艺过程如
下图)
水浴法具有成本低、成膜温度低、适合于制备大面积薄膜、易于实现连续生产、无污
染、材料消耗量少等优越性, 受到人们极大的关注。如在高转换效率的CIGS 薄膜太阳电池
结构中,采用化学水浴法(CBD 法) 制备的CdS 半导体薄膜作为缓冲层就具有重要作用。下面
就以制备CdS为例进一步对水浴法进行说明。
三 化学水浴沉积CdS
CdS 的制备方法有很多。常用的如溅射法、化学气相沉积、真空蒸发技术、化学水浴沉
积、溶胶-凝胶法等。在这些方法中运用比较广且比较设备简单的是化学气相沉积法。下面
就该方法具体操作及原理给予说明。
1、材料的选择
CdS(硫化镉) 属Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,具有纤锌矿结构,只直接的带隙材料,带隙较宽
为2.42ev,有高透明度是较好的窗口材料。通常采用化学水浴沉积方法制备。
化学水浴沉积法材料:镉盐 (3CdSO ·8H O )+铬合剂(NH .H O)+硫脲(SC(NH ) ) +缓冲剂
4 2 3 2 2 2
(NH ) SO ;其中镉盐为镉源提供Cd离子,硫脲为硫源提供S离子,在氨水为络合剂作用
4 2 4
下,温度在65~85范围内可以沉积硫化镉薄膜,镉离子和硫离子的比例影响膜的质量。
2、制备过程
3、过程中的一些化学反应
在水浴化学沉积过程中, 溶液中的提供Cd2+ , OH- , 硫脲提供S2- ,铵盐提供NH4+且作为缓
冲盐存在, 发生以下反应:
2+ 4+ - 2+
Cd + 4NH + 4OH →Cd (NH ) + 4H O
3 4 2
S= C (NH ) + 2OH- →S2- + 2H O + CH N
2 2 2 2 2
Cd2+ + S2- →CdS
在pH 值为8. 0、温度为80
您可能关注的文档
- 2015年中山大学民商法学专业考研真题(民商法学A卷)、考研复习规划.pdf
- 2015年北京第二外国语学院《基础日语》考研大纲真题解析及参考书.pdf
- 2015年北京大学翻译硕士汉语写作与百科知识考研真题,考研大纲.pdf
- 2015年南开金融考研 真题 内部资料 经验 技巧 跨专业.pdf
- 2015年国际青年能源与气候变化峰会-活动家.pdf
- 2015年提高主管药师考试复习效率的七种方法.pdf
- 2015年华南理工大学448汉语写作与百科知识考研大纲,考研参考书.pdf
- 2015年数学建模全国一等奖论文.pdf
- 2015最新国内企业邮箱十大品牌对比.pdf
- 2015年武汉雅思考点信息-智课教育出国考试.pdf
文档评论(0)