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目 录 一化学水浴沉积（CBD ）概念 二CBD镀膜原理 三化学水浴沉积CdS 四实验过程与结论分析 五CBD的优缺点总结 六CBD的展望 一 化学水浴沉积（CBD）概念 CBD其实质是指在一个大容器里加上水，然后把需要加热且里面含有化学溶剂的容器放 入其中，加热盛有水的大容器。使其通过热传递把热量传入需加热的容器中，是需加热的 的化学溶剂在容器中生长、控制析出物的过程。 温度计 小搅拌子 衬底 小烧杯 大烧杯 打搅拌子 加热 CBD水浴加热示意图 二 CBD镀膜原理 在溶液中利用化学反应或电化学原理在基底材料表面上沉积成膜的一种技术。由于标 准大气压下水的沸点是100摄氏度，但液气转变还需吸收热量，在水浴法里大烧杯里的水 只有100摄氏度，无法为试管里的水提 供热量使里面的试剂沸腾，所以该方法 适用于一些定温加热的反应，如CIGS太 阳能中制备CdS缓冲层。（工艺过程如 下图） 水浴法具有成本低、成膜温度低、适合于制备大面积薄膜、易于实现连续生产、无污 染、材料消耗量少等优越性, 受到人们极大的关注。如在高转换效率的CIGS 薄膜太阳电池 结构中,采用化学水浴法(CBD 法) 制备的CdS 半导体薄膜作为缓冲层就具有重要作用。下面 就以制备CdS为例进一步对水浴法进行说明。 三 化学水浴沉积CdS CdS 的制备方法有很多。常用的如溅射法、化学气相沉积、真空蒸发技术、化学水浴沉 积、溶胶-凝胶法等。在这些方法中运用比较广且比较设备简单的是化学气相沉积法。下面 就该方法具体操作及原理给予说明。 1、材料的选择 CdS(硫化镉) 属Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，具有纤锌矿结构，只直接的带隙材料，带隙较宽 为2.42ev，有高透明度是较好的窗口材料。通常采用化学水浴沉积方法制备。 化学水浴沉积法材料：镉盐 （3CdSO ·8H O ）+铬合剂(NH .H O)+硫脲(SC(NH ) ) +缓冲剂 4 2 3 2 2 2 （NH ) SO ；其中镉盐为镉源提供Cd离子，硫脲为硫源提供S离子，在氨水为络合剂作用 4 2 4 下，温度在65~85范围内可以沉积硫化镉薄膜，镉离子和硫离子的比例影响膜的质量。 2、制备过程 3、过程中的一些化学反应 在水浴化学沉积过程中, 溶液中的提供Cd2+ , OH- , 硫脲提供S2- ,铵盐提供NH4+且作为缓 冲盐存在, 发生以下反应： 2+ 4+ - 2+ Cd + 4NH + 4OH →Cd (NH ) + 4H O 3 4 2 S= C (NH ) + 2OH- →S2- + 2H O + CH N 2 2 2 2 2 Cd2+ + S2- →CdS 在pH 值为8. 0、温度为80