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第4章 MOS场效应晶体管 ;4.1 MOS结构与基本性质4.1.1 理想MOS结构与基本性质;1.理想MOS二极管的定义与能带 1）在外加零偏压时，金属功函数与半导体函数之间没有能量差，或两者的功函数差qφms为零 ;2）在任何偏置条件下，MOS结构中的电荷仅位于半导体之中，而且与邻近氧化层的金属表面电荷数量大小相等，但符号相反。 3）氧化膜是一个理想的绝缘体，电阻率为无穷大，在直流偏置条件下，氧化膜中没有电流通过。;2.表面势与表面耗尽区;在下面的讨论中，定义与费米能级相对应的费米势为;而空穴和电子的浓度也可表示为ψ的函数;通过以上讨论，以下各区间的表面电势可以区分为： Ψs0空穴积累（能带向上弯曲）； Ψs=0平带情况； ΨFΨs0空穴耗尽（能带向下弯曲）； ΨF=Ψs 表面上正好是本征的ns=ps=ni ΨFΨs 反型情况（反型层中电子积累，能带向下弯曲）。 ;电势与距离的关系，可由一维泊松方程求得;3.理想MOS结构的电容-电压特性; 在平带条件下对应的总电容称为MOS 结构的平带电容CFB;4.1.2 实际MOS 结构及基本特性;在实际的MOS结构中，金属-半导体功函数差不等于零，半导体能带需向下弯曲，如图所示，这是因为在热平衡状态下，金属含正电荷，而半导体表面则为负电荷;为了达到理想平带状况，需要外加一个相当于功函数差qфms的电压，使能带变为如下图所示的状况。;