4存储器、存储管理和高速缓存技术
微机原理;本章重点 :;4.1 存储器和存储器件 ;
;4.1 存储器和存储器件;32行×32列矩阵和外部的连接 ;4.1 存储器和存储器件;4.1.4 随机存取存储器RAM ; SRAM和DRAM;4.1.5 只读存储器ROM ;ROM的分类;闪烁存储器的特点:;4.2 存储器在系统中的连接;;;4.2 存储器在系统中的连接;线选法;D0~D7;;SRAM的连接举例;4.2.3 DRAM和DRAM控制器的使用举例;4.2.4 存储器的扩充 ;4.2.4 存储器的扩充;4.2.4 存储器的扩充;2012
;4.2.4 存储器的扩充;4.2.4 存储器的扩充; ;4.2.4 存储器的扩充;选择以下芯片,将其扩充为24KB;4.2.4 存储器的扩充;练习:利用以下芯片扩充到16KB;;字位同时扩充的连接:上述两种方式的结合;;;__
CE;在逻辑上验证所设计的连接线是正确的:
首先应保证,当执行读/写指定地址范围内的内存单元的操作时,确实能选中该芯片和该单元。
其次,应保证当没有执行读/写指定地址范围内的内存单元的操作时,特别是此时访问的地址在系统中确实对应了某个物理器件,确实不会选中该芯片和该单元。
;完成该图中地址线、数据线和控制线的连接,要求EPROM的地址从1000H开始,RAM的存储空间与EPROM的存储空间连续,EPROM为低地址,RAM
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