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- 2017-06-13 发布于湖北
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静态MOS存储器
1.基本存储元
(1)六管静态MOS存储元
电路图:
由两个MOS反相器交叉耦合而成的双稳态触发器。
B、存储元的工作原理:
假设: T0 管导通,T1 管截止:存0;
T0 管截至,T1 管导通:存1;
说明:MOS管有三极,如果栅极为高电平,则源极和漏极导通。如果栅极为低电平,则源极和漏极截至。
①写操作。在字线上加一个正电压的字脉冲,使T2 、T3 管导通。若要写“0”,无论该位存储元电路原存何种状态,只需使写“0”的位线BS0 电压降为地电位(加负电压的位脉冲),经导通的T2 管,迫使节点A的电位等于地电位,就能使T1 管截止而T0 管导通。
写入1,只需使写1的位线BS1 降为地电位,经导通的T3 管传给节点B,迫使T0 管截止而T1 管导通。
写入过程是字线上的字脉冲和位线上的位脉冲相重合的操作过程。
②读操作。只需字线上加高电位的字脉冲,使T2 、T3 管导通,把节点A、B分别连到位线。若该位存储电路原存“0”,节点A是低电位,经一外加负载而接在位线BS0 上的外加电源,就会产生一个流入BS0 线的小电流(流向节点A经T0 导通管入地)。“0”位线上BS0 就从平时的高电位V下降一个很小的电压,经差动放大器检测出“0”信号。
若该位原存“1”,就会在“1”位线BS1 中流入电流,在BS1 位线上产生电压降,经差动放大器检测出读“1”信号。
读出过程中
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