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第八章 半导体表面与MIS结构 Semiconductor surface and metal-insulator-semiconductor structure; 金属栅电极;§8.1 表面态;§8.2 表面电场效应 Effect of Surface Electric;理想MIS结构;1、空间电荷层(表面电荷层)及表面势;EC;;（3）少数载流子反型状态;N型半导体;2、表面空间电荷层的电场、电势及电容;由以上方程得到;令，;（2）表面电荷分布Qs; 多数载流子堆积状态（Vs 0，Qs 0）; 平带状态（Vs = 0）; 耗尽状态（Vs 0，Qs 0）; 反型状态（强反型、弱反型）;从耗尽到临界强反型状态，空间电荷区电场、电势和电容均可以通过耗尽层近似求得; ① 临界强反型时，Vs = 2VB; ② 强反型时，Vs 2VB;（5）关于空间电荷层的讨论;§8.3 MIS结构的电容-电压特性 C-V characteristics of MIS structure; 归一化电容:; 平带状态（Vs = 0，Qs 0）; 强反型后（Vs 0）; 强反型后（Vs 0）;讨 论;（2）金属与半导体功函数差对MIS结构C-V特性的影响;（3）绝缘层中电荷对MIS结构C-V特性的影响;§8. 4 硅-二氧化硅系统的性质 Characteristics of Si-SiO2 System;（1）二氧化硅中的可动离子;作偏压–温度（B-T）实验，可以测量二氧化硅中单位面积上的Na离子电荷量： 单位面积钠离子电荷数：;二氧化硅层中固定电荷有如下特征 电荷面密度是固定的，不随偏压而变化； 这些电荷位于Si-SiO2界面200?范围以内 固定表面电荷面密度的数值不明显地受氧化层厚度或硅中杂质类型以及浓度的影响 固定电荷面密度与氧化和退火条件，以及硅晶体的取向有很显著的关系 ;一般认为固定正电荷的实质是过剩硅离子;固定电荷引起的电压漂移：;（3）硅-二氧化硅界面处的快界面态;界面态的特点： 界面态密度与晶体的晶向有关。 峰值分布：认为界面态能级连续地分布在禁带中，其中有两个高密度峰：一个靠近导带底为受主界面态；另一个靠近价带顶为施主界面态 界面态电荷密度随外加偏置而变，不但可改变平带电压，还会使C-V曲线形状改变。;（4）二氧化硅中的陷阱电荷; rm是一个无量纲量，代表氧化层中可动离子电荷中心相对于氧化层厚度的归一化量，如果可动离子全部在金属-氧化层界面，rm=0，如果可动离子全部在二氧化硅-硅界面，rm=1。 通常，QNa、Qfc导致C-V特性曲线相对理论曲线沿电压轴发生平行的负漂移；由于QIT引起的VFB会因所加的偏置不同或正或负，QIT会使特性曲线发生扭曲或扩展。;§8.5 表面电导及迁移率 Surface conductivity and mobility;在单位表面积的表面层中空穴的改变量为 因为;（2）表面载流子有效迁移率（表面迁移率）;§12.1 霍耳效应;（2）两种载流子的霍耳效应;（3）霍耳效应的应用; 制作霍耳器件 利用霍耳效应可实现电流或磁感应强度的测量 在设计霍耳器件时，必须考虑半导体形状对霍耳电压的影响。;§8.6 表面电场对p-n结特性的影响 Effect of Surface field for p-n junction characteristic;栅控二极管结构示意图;栅控二极管结构示意图; 表面电场对反向电流的影响主要体现在以下两个方面： ① 表面电场产生的感应结扩大了p-n结空间电荷区，导致硅材料p-n结空间电荷区中产生电流增大，引起反向电流增加。 ② 表面电场使得半导体表面被耗尽时，硅和二氧化硅界面处的界面态引起总产生电流增加。