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转变功率均衡 作者：Paulo Knirsch 和 Donnie Garcia，飞思卡尔半导体MCU 系统工程；Danny Basler，飞思卡尔半导体MCU 产品市场 飞思卡尔低功耗技术推动 Kinetis ARM® Cortex™-M4 微控制器向前发展 嵌入式市场需要更高的性能和更低的功耗，这一需求现已扩展到大量便携式和墙 式供电应用中。为了满足该需求，飞思卡尔继续致力消除低功耗设 计的界限。 新推出的 Kinetis （动力学）系列ARM Cortex - M4 微控制器就是最新突破。2010 年第四季度抽样表明，Kinetis 代表基于 ARM Cortex-M4 新内核的第一款适合大 量市场的混合信号 MCU 组合，同时也是业界扩展性能最强的 ARM Cortex-M4 MCU 的产品之一。多种硬件和软件兼容的MCU 产品系列将提供卓越的性能和内存容量， 其扩展性强，从采用超小 QFN 封装的 50MHz、32KB 闪存器件到 带 1MB Flash 内 存和丰富行业外设集的 150 MHz 器件均包括在内。低功耗在 Kinetis MCU 设计中 发挥着核心作用。这反映在飞思卡尔新 90 纳米 SG-TFS （Split Gate Thin Film Storage）处理技术的使用，及大量具有省电功能的通用、专用外设上。 创新的低功率处理技术 处理技术是构建任何半导体产品的基本构建模块，以及决定 MCU 功耗的关键因素。 除了能够提供超快接入速度、防止充电损失 外，Kinetis MCU 还是首款利用飞 思卡尔 SG-TFS Flash 技术优势的产品，该技术专门设计来解决功耗敏感应用的 需求。在设计 SG - TFS 位传感器的过程中，飞思卡尔在读取路径上使用快速、 低压的晶体管，从而将操作电压降到一个较低的范围：1.71V 至 3.6V。在利用两 个 1.5V 电 池的应用中，一旦电压达到 0.9V，电池寿命就会迅速缩短。这意味 着与过去通常限制在 2V 甚至更高的 MCU 产品相比，将低电压设为 1.71V 可以大 大延长 电池寿命。扩展的电压范围不仅适用于片上内存– Flash 内存、SRAM 和飞思卡尔新的 FlexMemory （可配置，耐用性强的EEPROM） - 同时也适用于模 拟外设，因而即使在功率曲线的较低端也能实现连续的信号测量和调节。TFS 的 电压特性还有助于降低运行电流，允许高速运行的信号切换至较低 电压（通常 为 1.2V）工作。由于运行电流与C*V^2*f 成比例，电压下降对正使用的电流 Flash 组件非常有利。 必须具备的电源模式 在电池供电的大部分应用中，CPU 的大部分时间用于功率降低或休眠模式。因此， 关键的一点是微控制器提供了极有吸引力的多种选项，如电源 模式、唤醒源和 启动时间，以便设计人员能够优化应用要求中的外设活动和恢复时间，最大限度 使用现有的可用能源。飞思卡尔的处理方式是在 Kinetis MCU 中配置不少于 10 种的运行、等待和停止模式，同时还配有多个唤醒源（见图 1 和 2）。每个运行 模式都配有对应的等待和停止模式。飞思卡尔还推出几款低 漏电模式和新的低 漏电唤醒单元（LLWU），以满足最严格的功率预算。 在运行模式下操作时，CPU 全速执行代码，可以实现低至 200μ A/MHz 的功耗。 对于不需要最大总线频率的时段，可以使用非常低的功率 运行（VLPR）模式。 这就把 CPU 频率限制在 2 MHz 内，使内部稳压器置于待机模式，同时还保持外设 和低电压检测（LVD）的全部功能的实现。在这种模式中，使用600 μ A -1 mAV LPR LDD 可以节省大量功耗，具体情况则取决于 MCU 的性能、内存和外设配置。 等待模式和极低功耗等待（VLPW）模式与它们对应的运行模式类似，但CPU 会暂 停，并且 Flash 及 FlexMemory 编程不可用。 外设中断启动后，MCU 能够退出等 待模式，执行预定任务，然后迅速恢复为低功耗状态。这就最大限度减少了那些 常在使用状态和减少功耗状态之间切换的应用的 平均功耗。根据总线频率， 运 行模式 Idd 可以节省 30 至 60％的功耗。 多种停止模式提供状态保持和某些逻辑和/或内存的部分或全部断电。低漏电停 止（LLS）模式是恢复时间为4μ S 的最低功耗模式，可降低内 在逻辑的电压， 最大限度减少未使用的内部电路的漏电，并且 IDD 通常保持在 1.2 到 7 微安这 个范围内。极低漏电停止（VLLS）模式则更进了一步，它能切断内在逻辑，有选 择地切断 RAM 内存，从而减少未使用电路的漏电。每