碳化硅基光控器件可行性研究.pdf

摘 要 论文题 目: 碳 化硅 基光控 器件 可行性研 究 学科 名称 : 微 电子学与 固体 电子 学 研 究 生 : 赵 顺 锋 签 指 导教师 : 陈治 明 教授 签 摘 要 碳 化硅 (SI C ) 由于禁 带较 宽 ，对 可 见 光和 近 红 外光 几 乎没有 吸 收 ， 因此 限制 了其 在 光 电子 学 方 面 的应 用 。为 了实现 SI C 在 可 见光 或近 红外光 范 围的应 用 ，就 需要 尝试 通 过 在 SI C 上 外 延对 可 见 光或近 红 外光 敏 感 的半 导体材 料 ，形成 si C 的异质 结构器 件 。 本 文 首 先 主 要 分析 了可 以选 取 的 SI C 光 敏 外 延材 料 ，然 后 主 要 分 析 了界 面 态和 外延 层 中缺 陷对 Si /SI C 异质 结构 光 电二 极 管 的影 响 。SI C 外 延 可 见 光 或近 红外 光敏 感 半 导体材 料 最 大 的不利 条 件 是 晶格 失配较 大 ，这 样 会在 外 延层 中引入 大 量 的失配 位 错 等缺 陷 ，同时 异 质 结会 存 在 大 量 的界 面态 ，这 些 都会 制 约着 SI C 光控 器 件 成 功制 作 。 本 论 文 获得 了 以下主 要 结论 : 1. 对 可 见光 或近 红外 光 敏 感 的半 导体材 料 一般 都 与 SI C 有 很大 的 晶格 失配 ，与 SI C 有 较 小 晶格 失配 的半 导体材 料 一般 也 不对 可 见 光和 近 红外光 敏 感 ，所 以对 材 料 的光 吸 收和 晶格 匹配进 行折 中考虑 。 2. 外 延层 中缺 陷和 异质 结 界面态 都对 异 质 结 的光 电特 性 有 很 大 的不利 影 响 。外 延 层 缺 陷足 够 大 时 ，异 质 结 反 向漏 电流 和 光 生 电流 将 会 在 同一 数 量 级 ，则 光 电二 极 管 无 法 工 作 。 3. 根 据 SI C 光 控 器 件 的不 同应 用 范 围 ，需要 考 虑 相 关 外 延 材 料 的性 能 ， 以实现 SI C 光控 器 件 的可 靠 应 用 。 论 文通 过 从材 料 到器件 的分 析 ，认 为 实现 SI C 在 可 见 光 或 红外 光 范 围 的光控 器 件 是 可 行 的 ，但 是对 材 料 的外延 生 长 要求 较 高 ，难度 较 大 。 关 键 词 : 光控 器 件 ; 异 质 结 ; 晶格 失配 ; 界面 态 A b straet T itle : S tu d y o n th e F e a s ib ility o f S IC B a s e d L ig h t一c o n tro lle d D e v ic e S M aj o r: M icro e lectro n ics a n d S o lid S at te E leetro n ies C a n d id a te : S h u n fe n g Z h a o 519二t一垫蜘孤习 5 ig n a tu re : S u P e rv is o r : P ro f. Z h im in g C h e n A b str a C t A P P lieat io n