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半导体器件物理复习资料 半导体器件物理复习资料半导体器件物理复习资料 半导体器件物理复习资料半导体器件物理复习资料 半导体器件：导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。（器件的基础结构：金属— 半导体接触，p-n 结，异质结，MOS 结构） Physics of Semiconductor 半导体材料半导体材料 直接禁带直接禁带/ 间接禁带半导体间接禁带半导体 半导体材料半导体材料 直接禁带直接禁带 间接禁带半导体间接禁带半导体 半导体的电导率则介于绝缘体及导体之间。 对砷化镓而言，图中价带顶部与导带最低处发生在相同动量处（p= 元素 （Element ）半导体：在周期表第Ⅳ族中的元素如硅 （Si ）及 0 ）。因此当电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。砷化镓 Ge ）都是由单一原子所组成的元素 （element ）半导体。 direct semiconductor ）。硅则被称 锗（ 也因而被称为直接禁带半导体 （ 化合物 （Compound ）半导体：二元化合物半导体是由周期表中的 为非直接禁带半导体 （indirect semicomductor ），因为硅中的电子 两种元素组成。 在能带间转移时，需要动量转换。直接与非直接禁带结构的差异 几种常见的晶几种常见的晶体结构体结构 对发光二极体与激光等应用相当重要。这些应用需要直接禁带半 几种常见的晶几种常见的晶体结构体结构 晶体：组成固体的原子 （或离子）在微观上的排列具有长程周期 导体产生有效光子。 性结构 非晶体：组成固体的粒子只有短程序，但无长程周期性 准晶：有长程的取向序，沿取向序的对称轴方向有准周期性，但 无长程周期性 能带的形成能带的形成 能带的形成能带的形成 原子靠近→电子云发生重叠→电子之间存在相互作用→分立的能 级发生分裂。从另外一方面来说，这也是泡利不相容原理所要求 的。 一个能带只能有 N 个允许的状态；考虑电子有两种自旋状态，故 一个能带能容纳 2N 个电子；对于复式格子，每个能带允许的电 子数还要乘上原胞内的原子个数；对于简并能带，状态总数要乘 以简并度。 硅及砷化镓的能带结构。圆圈(○)为价带中的空穴， 黑点(•)为导带中的电子。 本征载流子浓度本征载流子浓度 本征载流子浓度本征载流子浓度 本征半导体：在恒温下，连续的热扰动造成电子从价态激发到导 带，同时在价带上留下等量的空穴。当半导体的杂质远小于由热 产生的电子空穴时，此种半导体称为本征半本征半导体导体。 本征半本征半导体导体