半导体三极管程序.pdf

1.3 晶体三极管 BJT: Bipolar Junction Transistor 双极型晶体管 半导体三极管 1.3.1 晶体管的结构及类型 1.3.2 晶体管的电流放大作用 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1.3.4 晶体管的主要参数 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 1.3.1 晶体管的结构及类型 BJT(Bipolar Junction Transistor) 为双极 结型晶体管(三极管)，是通过一定的工艺将 两个PN结结合在一起的器件。 半导体三极管是由两种载流子参与导电的 半导体器件，是一种电流控制电流器件。 按照结构可分为NPN和PNP型。 1 、分类 按工作频率：高频管 低频管 按功率：大、中、小功率管 按材料：硅管、锗管等 按类型：NPN型 PNP型 金属封装 塑料封装 大功率管 中功率管 晶体管的不同封装形式 2 、结构与符号 b e c P N+ N 硅平面管 一侧称为发射区，电极称为发射极，另一侧称为集电区和集电极， 用E 或e 表示（Emitter）； 用C 或c 表示（Collector）。 中间部分称为基区，连 上电极称为基极， 用B 或b 表示（Base）； c-b 间的PN结称为集电结(Jc) e-b 间的PN结称为发射结(Je) 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的 箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际 上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电 结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微 米至几十个微米。 3 、结构特点 （1）载流子浓度：发射区的浓度比集电区大，且 远大于基区的浓度。 （2 ）PN结面积：集电结发射结 （3 ）基区浓度小且薄 1.3.2 晶体管的电流放大作用 三极管的特点： • 发射区的掺杂浓度集电区的掺杂浓度 • 基区很薄，且掺杂较少 发射结加正向电压，集电结加反向电压。 1 、晶体管内部载流子的运动 （1）发射区向基区扩散电子  发射结外加正向电压，以扩散电流为主： 形成I 发射区电子向基区扩散 EN  形成I ,可忽略 基区空穴向发射区扩散 EP （2 ）电子在基区的扩散和复合 扩散到基区的电子有两个去向：  形成ICN  大部分漂移到集电区  少部分和基区空穴复合 形成IBN （3 ）集电区收集从发射区扩散过来的电子 集电结外加反向电压，以漂移电流为主：  基区的电子向集电区漂移  集电区的空穴向基区漂移 I I I C CN