电力电子课件 - 华中科技大学 - 第2章 半导体电力开关.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2.3 晶闸管及其派生器件 晶闸管实物图 * 2.3.1 逆阻型晶闸管SCR—两个三极管正反馈 2.3.2 逆导型晶闸管RCT 2.3.3 光控晶闸管LCT 2.3.4 双向晶闸管TRIACIGBT 2.3 晶闸管及其派生器件 * 2.3.1 逆阻型晶闸管SCR—两个三极管正反馈 晶闸管的结构、符号和结构模型 * A G K Vs R I A I C1 I g Vg Rg I C2 I C T1 T2 P1 J1 N1 J2 J3 J2 P2 P2 N1 N2 i B2 (d)等效电路 可控开通 关断时： 强迫其电流 下降到维持电流以下 通态时 晶闸管的等值电路 * 静态伏安特性 及 dv/dt 防护 * 图中画斜线部分为一个2?周期中晶闸管的电流波形。若各波形的最大值为Im=100A，试计算各波形电流的平均值Id1、Id2、Id3和电流有效值I1、I2、I3 。 若考虑二倍的电流安全裕量，选择额定电流为100A的晶闸管能否满足要求？ 例2-1 ? 答：见书39页 * 2.3.2 逆导型晶闸管RCT 逆导晶闸管等值电路和符号 * 2.3.3 光控晶闸管LCT 光控晶闸管符号及等值电路 * 双向晶闸管符号、等效电路和伏安特性 2.3.4 双向晶闸管TRIAC ? * GTO符号及关断原理图 GTO （Gate Turn-Off Thyristor） 为什么能靠反向触发电流关断？ T2的电流分配系数较大； T1、T2饱和深度较浅 2.4 门极可关断晶闸管GTO * 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET P-MOSFET基本结构、符号和外接电路 * 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET（续1） 目前流行的结构 具有垂直导电双扩散MOS结构的N沟增强型VDMOS的结构 * 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET（续2） 关断 导通 导通和关断载流子流向示意图 * P-MOSFET特性曲线 I D V GS V GSth (d)转移特性 I D V DS V GS=0 V GS1=4 V GS2=8 V GS3=10 (e)输出特性 Ⅰ Ⅱ Ⅲ V BR P－MOSFET的工况可用其转移特性和输出特性表述： 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET （续3） * 2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT IGBT结构和等效电路 G C E R d r R br T 2 T 1 A B * I C V CE V G E =0 V GE1 V GE2 V GE3 V RM 0 (c)输出特性 正向阻断区 V GE V BR I c V GE V GEth (d)转移特性 (a)符号 I C G E C G C E V g V S R (b)电路 R d r R br T 2 T 1 I C A B R g 符号、电路及静态特性 2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT（续1） * 2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT（续2） G C E V g V R R d r R br T 2 T 1 I C A B R g 什么是擎住效应： 集电极电流iC过大； 集电极电压过高； 关断速度过快。 Rbr上的电压过大，可使T2导通，使IGBT失去关断能力。 产生擎住效应的原因： * 晶闸管引入一对MOSFET构成了场控晶闸管MCT（图2.19） 开通P沟道的MOS管使MCT导通 开通N沟道的MOS管使MCT关断 *2.7 MOS控制晶闸管MCT * ：N沟道变宽，等效电阻小，SIT开通 ：N沟道夹断，等效电阻大，SIT关断 特点：开关速度很快，可在100~500kHz的高频开关状态下工作 SIT是一种结型场效应晶体管，控制GS之间的电压可以改变电流通道（图中N沟道）的宽窄，从而控制SIT的通断。 静电感应晶闸管 SIT *2.8 静电感应晶体管 * 二极管和晶闸管模块 2.9 半导体电力开关模块和功率集成电路 * 达林顿三极管功率模块 2.9 半导体电力开关模块和功率集成电路（续1） * MOSFET功率模块 2.9 半导体电力开关模块和功率集成电路（续2） * AC-DC-AC变频功率模块 2.9 半导体电力开关模块和功率集成电路（续3） * 小 结 根据开关器件开通、关断可控性的不同，开关器件可以分为三类： 不可控器件：仅二极管D是不可控开关器件。 半控器件： 仅普通晶闸管SCR属于半控器件。可以控制其导通起始时刻，一旦SCR导通后，S