【2017年整理】半导体物理6.pptVIP

第6章 MOSFET及相关器件 6.1 MOS二极管 6.2 MOSFET基本原理 6.3 MOSFET按比例缩小 6.4 CMOS与双极型CMOS 6.5 绝缘层上MOSFET 6.6 MOS存储器结构 相关主题 基本FET结构 6.1 MOS二极管 6.1.1 理想MOS二极管 理想P型半导体MOS二极管的能带图： 功函数（金属的Φm和半导体的Φs ） 电子亲和力 理想MOS二极管定义： 零偏压时，功函数差Φms为零； 任意偏压下，二极管中的电荷仅位于半导体之中，且与邻近氧化层的金属表面电荷量大小相等，极性相反； 直流偏压下，无载流子通过氧化层。 MOS二极管中三个分离系统的能带图 半导体表面三种状态 三种状态 6.1.2 实际MOS二极管 一、功函数差 金属与半导体功函数差对MOS结构C-V特性的影响 二、界面陷阱与氧化层电荷 主要四种电荷类型：界面陷阱电荷、氧化层固定电荷、氧化层陷阱电荷和可动离子电荷。 6.1.3 CCD器件 6.2 MOSFET基本原理 NMOS晶体管基本结构与电路符号 PMOS晶体管基本结构与电路符号 工作方式——线性区 工作方式——饱和区 过饱和 推导基本MOSFET特性 推导