A110D温度湿度偏压加速.docVIP

A110D 高加速温度和湿度压力测试（HAST） （jcb - 08 - 92和jcb - 10 - 62, jc - 14.1组织认定） 1 范围 加速播放温度和湿度进行应力测试的目的是评估非气密性封装固态设备在潮湿的环境中的可靠性。 它使用加严的环境温度、湿度、偏压来通过外部防护材料(塑封剂或密封)或沿着外部防护和金属导体接口界面加速水分的渗透。应力通常激活如“85/85”稳态湿度寿命试验一样的失效机理。 2 装置 测试需要一个压力室维护指定的温度和相对湿度的能力不断,而为被测设备提供电气连接在一个规定的偏压配置 2.1 控制条件 　从规定的测试条件缓上和缓降过渡期间，腔体必须能够提供压力,温度和相对的湿度的受控条件。校准记录应验证设备避免冷凝水滴在受测元件上，在过渡和斜降测试期间(dut)温度高于50oC，最大热质量负载和最小(0)功耗。校准记录应验证,对稳态条件和最大热质量负载,测试条件都保持在3.1中指定的公差。 2.2 温度曲线 一个永久的记录为每个测试周期建议温度曲线,这样的有效性压力可以得到证实。 2.3 被测的元件 被测的元件必须放置尽量减少温度梯度。被测的元件离内部腔表面不得小于3厘米。,不得从加热器直接辐射加热。在蒸汽循环中元件的电路板应定在最小干扰处。 2.4 释放污染最小化 护理必须行使电路板和插座材料的选择,尽量减少污染的释放和最小化由于腐蚀和其他失效机理引起的降级 2.5 离子污染 应当避免测试仪器(卡笼、测试板、套接字、连接存储容器,等等)的离子污染对测试元件影响。 2.6 去离子水 去离子的水电阻率应当使用在室温下最低1兆欧厘米。 3 测试条件 　　测试条件包括温度、相对湿度和持续时间与一个电子配置特定于设备的偏见。 3.1 温度、相对湿度和持续时间 温度 (干球°C) 干度 相对湿度（%） 　　温度 　　(湿球°C) 蒸汽压 （psia/kPa） 持续时间 （小时） 130 ± 2 85 ±5 124.7 33.3/230 96 (-0, +2 110 ±2 85 ± 5 105.2 17.7/122 264 (-0, +2) 注1公差适用于整个可用的测试区域。 　　 　　注2仅供信息。 　　 　　注意3测试条件不断除了应用在任何临时读数。 　　 　　注意4临时读数,设备应该返回4.5中指定的时间内压力。 　　 　　注5部分,达到吸收平衡在24小时或更少,使测试至少相当于 1000小时在85oC / 85% RH。零件需要超过24小时在th达到平衡 3.2偏压设置指南 　　应用偏压根据以下指南: (a)减少功耗。 （b)尽可能选择金属脚偏压。 (c)尽可能在芯片金属化分发潜在差异。 (d)电压操作范围内最大化。 注意上述准则取决于的优先级机制和特定的设备特征。 e)两种类型的偏见可以用来满足这些指导方针,哪个更严重: 连续偏压——直流偏压应持续应用。连续的偏压比循环偏压更严重，芯片温度= 10oC室环境温度或者,如果DUT小于200兆瓦，芯片温度的散热不知道。如果散热DUT超过200兆瓦,那么芯片温度可计算。如果芯片温度超过室环境温度5oC，那么在结果报告中要注明芯片温升超过环境温度，因失效机理的加速会受到影响。 )循环偏压——直流电压应用到被测元件一个适当的频率和工作周期应定期中断。如果偏压配置结果的温度超越室环境,?Tja,超过10oC,然后循环偏压,当优化具体的设备类型,将比连续更严重。加热作为功耗导致的结果会使水分远离芯片,从而阻碍了moisture-related失效机理 。循环偏压中的off可允许水汽在芯片中聚集。50%的占空比一般可选，在塑封微电路中。封装厚度大于2mm时，循环应力阶段应小于2小时；封装厚度小于2mm时，就小于30min.芯片温度，在已知热阻和功耗下计算，应引用结果，不管是否超过环境温度5度。 3.2.1 选择和报告 标准选择连续或循环偏压,以及是否需要报告的数量 芯片温度超过室环境温度,总结在下表中: Tja 　　循环偏压 报告Tja ?Tja 5°C,或功耗 DUT 200兆瓦 No No (?Tja35°C或功耗200兆瓦),和?Tja 10°C No Yes ?Tja 3 10 °C Yes Yes 4 程序 　测试元件应安装在规定的温度、偏压和湿度条件。避免元件在过热,干燥环境或可导致冷凝在元件和测试架的条件，特别是在过渡,缓降。 4.1 快速启动 时间达到稳定温度和相对湿度条件应少于3小时。 冷凝应当避免通过确保测试室(干球温度)超过湿-球温度,而且增加的速度不得超过一个确保干球温度低于湿球温度的速度。 干、湿球温度设置点应保持相对湿度而不是更少。 4.2 缓降 缓降的第一部分稍微积极表压(湿球温度约104oC)应足够长