第四章储器.doc

第 四 章 一、选择题 存取周期是指—— A存储器的写入时间B存储器进行连续写操作允许的最短间隔时间 C存储器进行连续读或写操作所允许的最短间隔时间 2．和辅存相比，主存的特点是 。 A容量小，速度快，成本高B．容量小，速度快，成本低c．容量大，速度快，成本高 3．一个16K×32位的存储器，其地址线和数据线的总和是 A*48 B．46 C． 36 4．一个512KB的存储器，其地址线和数据线的总和是 A． 17 B． 19 C．27 5．某计算机字长是16位，它的存储容量是64KB，按字编址，它的寻址范围是 A．64K B．32KB C．32K 6．某计算机字长是16位，它的存储容量是1MB，按字编址，它的寻址范围是A．512K B． 1M C．512KB 7．某计算机字长是32位，它的存储容量是64KB．按字编址，它的寻址范围是 A． 16KB B． 16K C．32K 8．某计算机字长是32位，它的存储容量是256KB，按字编址，它的寻址范围是 A． 128K B．64K C．64KB 9．某一RAM芯片，其容量为512×8位，除电源和接地端外，该芯片引出线的最少数目是 A．9 B．17 C．18 10．某一RAM芯片，其容量为32K x 8位，除电源和接地端外，该芯片引出线的最少数是 A．25 B．40 C．23 11．某一RAM芯片，其容量为128K x16位，除电源和接地端外，该芯片引出线的最少数目A． 33 B． 35 C．25 12．若主存每个存储单元为16位，则其地址线为 A 。16根 B．其地址线数与16无关 C．其地址线数与16有关 13．某存储器容量为32K x16位，则 A地址线为16根，数据线为32根B．地址线为32根，数据线为16根 C．地址线为15根，数据线为16根 14．下列叙述中 是正确的。 A．主存可由RAM和ROM组成B．主存只能由ROM组成C．主存只能由RAM组成 15*EPROM是指 。 A只读存储器B．可编程的只读存储器C．可擦洗可编程的只读存储器 16．可编程的只读存储 A．不一定是可改写的B．一定是可改写的C．一定是不可改写的 17．下述说法中——是正确的。 B．半导体RAM是易失性BAM，而静态RAM中的存储信息是不易失的 C．半导体RAM是易失性RAM，而静态RAM只有在电源不掉电时，所存信息是不易失的 18．下述说法中 是正确的。 A．EPROM是可改写的，因而也是随机存储器的一种 B．EPROM是可改写的，但它不能作为随机存储器 C．EPROM只能改写一次，故不能作为随机存储器 19．和动态MOS存储器相比，双极型半导体存储器的性能是 A集成度高，存取周期快，位平均功耗少B．集成度高，存取周期快，位平均功耗大 C．集成度低，存取周期快，位平均功耗大 20．在磁盘和磁带两种磁表面存储器中，存取时间与存储单元的物理位置有关，按存储方式A二者都是串行存取B．磁盘是部分串行存取，磁带是串行存取 22．在磁表面存储器的记录方式中， A．不归零制和归零制的记录密度是一样的不归零制B．归零制的记录方式中不需要同步信号，故记录密度比归零制高 C．不归零制记录方式由于磁头线圈中始终有电流，因此抗干扰性能好 23．磁盘存储器的等待时间通常是指 。 A．磁盘旋转一周所需的时间 B．磁盘旋转半周所需的时间C．磁盘旋转2／3周所需的时间 24．活动头磁盘存储器的寻道时间通常是指 A．最大寻道时间B．最大寻道时间和最小寻道时间的平均值 25．活动头磁盘存储中，信息写入或读出磁盘是A．并行方式 B．串行方式26．磁盘转速提高一倍，则 A．平均查找时间缩小一半B．其存取速度也提高一倍 C．不影响查找时间 进行的串并方式 27．相联存储器与传统存储器的主要区别是前者又叫按 A．地址 B．内容 C．堆栈 29．一个四体并行低位交叉存储器，每个模块的容量是64K x 32位，存取周期为200ns，在上述说法中——是正确的。 A在200ns内，存储器能向CPU提供256位二进制信息 B．在200ns内，存储器能向CPU提供128位二进制信息 C．在50ns内，每个模块能向CPU提供32位二进制信息 30．采用四体并行低位交叉存储器，设每个体的存储容量为32K x16位，存取周期为400ns，在下述说法中——是正确的。 A在0．1 ns 内，存储器可向CPU提供2位二进制信息 B．在0．1 ns 内，每个体可向CPU提供16位二进制信息 C．在0．45 ns内，存储器可向CPU提供2‘位二进制信息