NPNPNP区别和应用.docVIP

NPN与PNP区别和应用 npn型的电晶体是以电洞(带正电)为多数载子，pnp则相反是以电子(带负电)为多数载子，而在控制电晶体动作上必须利用电流的顺向偏压或逆向偏压来操作，所以在接点所需的电压大小及正负值必须要正确才能驱动电晶体的动作 电晶体是一种固态装置元件，它具有体积小、效率高、寿命长及速度快等优点。近年来由于技术的进步，已有大量的耐高压、能承受大功率的晶体被制造出来，因此电晶体在功率放大上，一直扮演着重要的角色。3-4-1电晶体的结构 电晶体的结构很像二极体，不过比二极体多出了一个 接合面。如图3-15(a)所示，将二层n型半导体，中间夹以一层很薄的p型半导体，即成npn型电晶体；或 将二层p型半导体，中间夹以一层很薄的n型半导体，即成pnp型电晶体。将电晶体的三层晶片都分别列出接线成为电极，中间一片称为基极(base,b)，另两极分别称为射极(emitter,e) 及集极(collector,c)。射极能发射多数载体，基极可控制流向集极之多数载体的数量。集极则能收集射极发射的多数载体，如图3-15(b)所示，为电晶体的符号，射极之箭头向外的为npn型；射极之箭头向内的为pnp型。 NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。 NPN 是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即 VC VB VE PNP 是用 E→B 的电流（IB）控制 E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即 VC VB VE 总之 VB 一般都是在中间，VC 和 VE 在两边，这跟通常的 BJT 符号中的位置是一致的，你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。而且BJT的各极之间虽然不是纯电阻，但电压方向和电流方向同样是一致的，不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。 如今流行的电路图画法，通常习惯“男上女下”，哦不对，“阳上阴下”，也就是“正电源在上负电源在下”。那NPN电路中，E 最终都是接到地板（直接或间接），C 最终都是接到天花板（直接或间接）。PNP电路则相反，C 最终都是接到地板（直接或间接），E 最终都是接到天花板（直接或间接）。这也是为了满足上面的VC 和 VE的关系。一般的电路中，有了NPN的，你就可以按“上下对称交换”的方法得到 PNP 的版本。无论何时，只要满足上面的6个“极性”关系（4个电流方向和2个电压不等式），BJT电路就可能正常工作。当然，要保证正常工作，还必须保证这些电压、电流满足一些进一步的定量条件，即所谓“工作点”条件。 对于NPN电路： 对于共射组态，可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点，通过控制VB来控制VBE（VBE=VB-VE），从而控制IB，并进一步控制IC（从电位更高的地方流进C极，你也可以把C极看作朝上的进水的漏斗）。 对于共基组态，可以理解为把VB当作固定参考点，通过控制VE来控制VBE（VBE=VB-VE），从而控制IB，并进一步控制IC。 如果所需的输出信号不是电流形式，而是电压形式，这时就在 C 极加一个电阻 RC，把 IC 变成电压 IC*RC。但为满足 VCVE， RC 另一端不接地，而接正电源。 而且纯粹从BJT本身角度，而不考虑输入信号从哪里来，共射组态和共基组态其实很相似，反正都是控制VBE，只不过一个“固定” VE，改变VB，一个固定VB，改变VE。 对于共射组态，没有“固定参考点”了，可以理解为利用VBE随IC或IE变化较小的特性，使得不论输出电流IE怎么变化（当然也有个限度），VE基本上始终跟随VB变化（VE=VB-VBE），VB升高，VE也升高，VB降低，VE也降低，这就是电压跟随器的名称的由来。 PNP电路跟NPN是对称的，例如： 对于共射组态，可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点，通过控制VB来控制VEB（VEB=VE-VB），从而控制IB，并进一步控制IC（从C极流向电位更低的地方，你也可以把C极看作朝下的出水管）。 对于共基组态，可以理解为把VB当作固定参考点，通过控制VE来控制VEB（VEB=VE-VB），从而控制IB，并进一步控制IC。 …… 上面所有的VE的“固定”二字都加了引号。因为E点有时是串联负反馈的引入点，这时VE也是变化的，但这个变化是反馈信号，即由VB变化这个因造成的果。 型号 极性 PCM(W） ICM（mA） BU(CEO)V fT(MHZ) hFE 主要用途 9011 NPN 0.4 30 50 370 28～198 通用功率放大 9012 PNP 0.625 500 40 64～202 9013 NPN 0.625 500 40 64～202 9014 NPN 0.625 100 50 270