点源蒸发机膜厚计算.doc

电子枪蒸发源膜厚分布计算 1.膜厚均匀性的保证 普通情况下，我们假定： 1.蒸发分子在沉积过程中不存在任何碰撞； 2.基片不同区域膜层密度无差别； 3.蒸发特性不随时间改变。 这样，对于点源，基片上任一点的膜层厚度，可由一下公式表示 (1) 该式实际上表示，待镀区域对点源所张立体角与点源整体立体角之比。 可见立体角不但与面积有关，同时与点源到基片的距离平方反比。那么，要保证膜层尽可能的均匀， 必须使基片上各区域所张立体角相近； ↓ 在相关面积不变的前提下，也即尽量使基片各点到点源的距离保持一致。 因此，对静止基片，考察膜厚分布转化为考察，基片各点与点源的距离和夹角余弦的商。 对旋转基片，还需进行对旋转周向上的角度积分。 2.蒸发机实例的简化处理 实际上，基片，尤其是含积分的旋转基片上膜厚的数学计算，是不容易的。为了处理简单，得到定性结论，必须简化模型。 将整个系统简化为绕轴心自转的圆筒。 蒸发源的位置可位于轴心或偏离轴心。这里我们近似认为发射方向与基片的法线夹角沿轴向上均匀减小。这样公式(1)中的项可简化为 ， (2) 事实上，余弦项的变化基本不影响我们对膜厚分布趋势的判断。 现在，把主要精力放回到点源到基片的距离上，因为这才是影响点源膜厚分布的主因。 由于偏心计算比较复杂，可以先大致判定偏心的优劣。 我们采用最极端的假设：忽略发射源E不同位置时夹角项(2)的改变。也就是认为，源到基片的距离是影响膜厚的唯一因素。这样，只要比较不同位置发射源到基片不同位置的距离比例的大小，就可粗略判定对膜厚分布均匀性的影响。 根据上述假定，比较蒸发源位于轴心和偏心两种情况下， 图 1 点源位于圆筒中心和偏心 具体尺寸见图2。 图 2 具体使用字母标示 图3标示位于轴心上的点源和偏心点源到基片距离比例的变化。其中代表点源到基片最近处间距。 图 3 点源位于轴心和和偏心时距基片距离之比 可见偏心时基片不同位置到点源的距离差异被扩大。因此，偏心布置的效果不如同心布置。以下的讨论均建立在同心布置上。 同心布置下，发射源距离基片的垂直距离的调节，将对垂直方向上膜厚分布产生影响。如图4所示，其中表示距点源最近位置处基片的膜厚。 发射源布置的越远，膜厚分布的均匀性越好。 但伴随的是沉积速率的快速下降。按照(1)式的结论，由1变为3时，沉积速率降至原来的1/9。 图 4 不同发射源位置对应的垂直方向膜厚分布 因此，粗略得出结论： 在蒸发机的布置下，发射源应位于轴线上，位置的选择应同时照顾到膜厚的均匀和沉积速率的保证。