4.2 晶体管重点讲义.pptVIP

“ ” “ ” 4.2 晶体管 【本节目标】 熟悉晶体管的符号及主要参数 理解晶体管的电流放大实质 掌握晶体管的结构、伏安特性及简单应用 金属封装 小功率管 塑封 小功率管 塑封 大功率管 金属封装 大功率管 双极型半导体三极管 (1-*) 1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 双极型半导体三极管 (1-*) B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：结面积较大 发射区：掺杂浓度较高 发射结 集电结 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W (1-*) B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 符号 2 工作原理 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 外加电源与管子的连接方式 VCC RC IC e c b VBB Rb IB UBE UCE IE VCC RC IC e c b VBB Rb IB UBE UCE IE NPN型管的连接方式 PNP型管的连接方式 三极管内部载流子的传输过程(以NPN型为例) 1) 在VBB提供的正偏电压作用下,发射区向基区注入多子电子，形成发射极电流 IE。 I CN 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN I CBO IB IC 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) ICN≈IC IBN≈IB 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) IB 三个电极的电流关系: IE=IC+IB 共发射极电流放大系数: IC=ICN+ICBO ?ICN (1-*) ICN与IBN之比称为共发射极电流放大倍数： ICN与IE之比称为共基极电流放大倍数：表示最后达到集电极的电子电流与总发射极电流的比值 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极电路 共集电极电路 共基极电路 实现电路 ui uo RB RC uo ui RC RE 3 晶体三极管共射特性曲线 （一）输入特性 输入 回路 输出 回路 与二极管特性相似 RC VCC iB IE RB + uBE ? + uCE ? VBB C E B iC + ? + ? + ? iB RB + uBE ? VBB + ? O 特性基本重合(集电极将发射极过来的电子几乎全部收集走) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE(on) 硅管：(0.6 ? 0.8) V 锗管：(0.2 ? 0.3) V 取 0.7 V 取 0.2 V VBB + ? RB （二）输出特性 iC / mA uCE /V 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA iB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 截止区： iB ? 0 iC = ICEO ? 0 条件：两个结反偏 2. 放大区： 3. 饱和区： uCE ? u BE uCB = uCE ? u BE ? 0 条件：两个结正偏 特点：iC ? ? iB 临界饱和时： uCE = uBE 深度饱和时： 0.3 V (硅管) uCE=U(CES)= 0.1 V (锗管) 放大区 截止区 饱 和 区 条件：发射结正偏 集电结反偏 特点：水平、等间隔 ICEO (1-*) 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 (1-*) 4 主要参数 三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? (1-*) 例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA