半导体物理学复习试卷.ppt

杂质态上电子和空穴的分布规律 施主能级上未电离的施主杂质浓度（施主能级上的电子浓度）为 电离施主杂质浓度为 过渡区 导带电子来源于全部杂质电离和部分本征激发 强电离（饱和） 导带电子浓度等于施主浓度 高温本征激发区 n0ND p0ND 同上 中间电离 导带电子从施主电离产生 p0=0 n0= 弱电离 导带电子从施主电离产生 费米能级 载流子浓度 电中性条件 特征 杂质半导体的费米能级 ①在器件正常工作的温度范围内，n型半导体的EF位于Ei 之上ED之下的禁带中。 ②一定温度下，EF随ND的增大而趋向ED； ③掺杂一定时，EF随温度的升高而趋向Ei； 简并半导体 简并半导体与非简并半导体的区别： 非简并 杂质浓度适中 EF位于禁带内， 且与EV，EC的距离较远 玻耳兹曼分布 简并 杂质浓度很高 EF接近EV、EC ，甚至进入导带或价带 费米分布 简并化条件 发生简并化时的杂质浓度很高，重掺杂半导体。 在室温下，简并半导体中的杂质只有很少一部分电离。 第4章 半导体的导电性 重要概念—— 漂移、迁移率、载流子散射、平均自由时间。 重要知识点—— 漂移电流密度的表达式，电导率和迁移率的关系； 半导体的主要散射机构，散射概率和温度的关系； 载流子迁移率的决定因素（杂质浓度、温度）； 杂质半导体电阻率随温度的变化关系； 电导率为： 反应载流子在电场中漂移运动的难易程度 在相同的外电场作用下： 欧姆定律的微分形式 它反映了通过导体中某一点的电流密度与该处的电场强度及材料的电导率之间的关系。 散射 晶格周期性势场遭到破坏而存在附加势场。 2、散射的原因 3、主要散射机构 （1）电离杂质 （2）晶格振动 4、散射几率 单位时间内一个载流子受到散射的次数称为散射几率。 散射几率大，受散射的程度就强。 1、散射的机理 载流子发生不同状态（k）的跃迁。 电离杂质散射 Ni=（ND+NA） 晶格振动的散射 频率为 的一个格波，其能量是量子化的，即： 声子 把格波的能量子称为声子。 电子在晶格中被格波散射可以看作是电子与声子的相互作用，而且电子和声子的碰撞也遵守准动量守恒和能量守恒定律。 晶格振动的散射 声学波散射(长纵声学波) 光学波散射（长纵光学波） 平均自由时间等于散射几率的倒数 电子的迁移率 空穴的迁移率为 电离杂质散射： 声学波散射： 迁移率与杂质浓度和温度的关系 迁移率与杂质浓度和温度的关系 迁移率随温度的升高而减小。 迁移率随温度的升高而增大。 随温度的升高，迁移率减小。 ③当Ni较大，温度很高——II ①若Ni较小——II ②当Ni较大，温度低——I ④温度不变，Ni增大——I 随Ni的增大，迁移率减小。 I：电离杂质散射为主 II：晶格振动散射为主 电导率与温度的关系 1、本征材料 综合以上两者的作用： 本征材料的电导率随温度升高而增大，电阻率减小。 ni 随温度升高按指数规律增大 迁移率随温度升高而缓慢减小 Hunan University of Science and Technology Hunan University of Science and Technology 三、不同类型半导体载流子浓度与费米能级的关系 四、电中性方程 一、本征费米能级 半导体物理学 第1章 半导体中的电子状态 重要概念—— 金刚石结构；能带；有效质量；空穴；本征半导体； 重要知识点—— 化合物半导体的晶体结构； 晶体中能带的形成；半导体的能带结构特征； 本征半导体的导电机构； 导带底、价带顶电子的有效质量；空穴的有效质量。 晶体中能带的形成 相距很远时，相互作用忽略不计 原子逐渐靠近，外层轨道发生电子的共有化运动——能级分裂 当原子聚集形成晶体时，不能改变量子态的总数； 没有两个电子具有相同的量子数。 晶体中能带的形成 N个原子逐渐靠近，最外层电子首先发生共有化运动， 每一个能级分裂成N个相距很近的能级， 形成一个准连续的能带。 半导体中电子的状态和能带 (a) E(k)~k关系 (b) 能带 半导体中的电子 自由电子 有效质量 有效质量 引入有效质量这一概念的意义在于： 有效质量概括了晶体内部势场对电子的作用，使得在解决晶体或半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到内部势场对电子的作用，而直接按照牛顿第二定律由外力求出电子的加速度。 1.带有正电