硅片清洗原理和方法综述.pdfVIP

30 半导体情报　　　　　　　第 37 卷　第 2 期　2000 年 4 月 硅片清洗原理与方法综述 刘传军　赵 权　刘春香　杨洪星 ( 电子四十六所, 天津　300220) 摘要　对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述, 同时对一些常 用的清洗方案进行了浅析, 并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。 关键词　硅片　清洗　湿法化学清洗 中图分类号: TN 3052　文献标识码: A 　文章编号: (2000) 23007 Theory and M ethod of Silicon W afer Clean ing L iu Chuan jun , Zhao Q uan , L iu Chunx iang, Yang Hongx ing (T he 46 th Institu te (E lectronics) , T ianj in 300220) Abstract　In th is paper , the m ethods and m echan ism of silicon w afer clean ing are p re sen ted. Som e cases u sing silcon w afer clean ing are discu ssed. T he im po rtance and ten dency of silicon w afer clean ing are also given b riefly. 　 　 　 Keywords Silicon w afer C lean ing W et chem ical clean ing 工序都有硅片清洗的问题, 硅片清洗的好坏对 1　引　言 器件性能有严重的影响, 处理不当, 可能使全 随着大规模集成电路的发展, 集成度的不 部硅片报废, 做不出管子来, 或者制造出来的 断提高, 线宽的不断减小, 对硅片的质量要求 器件性能低劣, 稳定性和可靠性很差[ 1～ 3 ] 。因此 也越来越高, 特别是对硅抛光片的表面质量要 弄清楚硅片清洗的方法和原理, 不管是对于从 求越来越严。这主要是因为抛光片表面的颗粒 事硅片加工的人, 还是对于从事半导体器件生 和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品 产的人来说都有着重要的意义。 率, 对于线宽为 035m 的64 兆DRAM 器件, 正是由于硅片清洗是半导体器件制造中最 影响电路的临界颗粒尺寸为 006m , 抛光片 重要最频繁的步骤, 而且其效率将直接影响到 的表面金属杂质沾污应全部小于 5 ×1016 at 器件的成品率、性能和可靠性, 所以国内外对 cm 2 , 抛光片表面大于 02m 的颗粒数应小于 清洗工艺的研究一直在不断地进行[ 3～ 12 ]。现在 [ 1 ] 人们已研制出了很多种可用于硅片清洗的工艺 20 个片 。在目前的集成电路生产中, 由于硅 抛光片表面沾污问题, 仍有 50% 以上的材料被 方法和技术, 常见的有: 湿法化学清洗、超声 [ 2 ]